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采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真
1
作者
bruce bateman
《今日电子》
2016年第12期47-49,共3页
Kilopass研发出了一种全新的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor,VLT)SRAM单元,其特性可支持它作为DRAM存储单元。这种存储单元具有静态特性,不需要进行刷新操作,这样一来与传统DRAM相比,极大地简化了电路结构。
关键词
存储单元
DRAM
TCAD
最优化
仿真
引擎
SRAM单元
静态特性
全文增补中
题名
采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真
1
作者
bruce bateman
机构
Kilopass科技有限公司
出处
《今日电子》
2016年第12期47-49,共3页
文摘
Kilopass研发出了一种全新的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor,VLT)SRAM单元,其特性可支持它作为DRAM存储单元。这种存储单元具有静态特性,不需要进行刷新操作,这样一来与传统DRAM相比,极大地简化了电路结构。
关键词
存储单元
DRAM
TCAD
最优化
仿真
引擎
SRAM单元
静态特性
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
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1
采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真
bruce bateman
《今日电子》
2016
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