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采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真
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作者 bruce bateman 《今日电子》 2016年第12期47-49,共3页
Kilopass研发出了一种全新的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor,VLT)SRAM单元,其特性可支持它作为DRAM存储单元。这种存储单元具有静态特性,不需要进行刷新操作,这样一来与传统DRAM相比,极大地简化了电路结构。
关键词 存储单元 DRAM TCAD 最优化 仿真 引擎 SRAM单元 静态特性
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