极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质研究

研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质。用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质。发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件。

非均匀a-Si：H层的光致发光光谱研究

本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱。认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的。由光谱拟合获得的数值数据结果显示,它们可以认为是两种有不同结构无序化度区域的光致发光叠加的结果。这是沉积过程的问题,相当于无定形氢化硅结构性能的理想情况。