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Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响
被引量:
2
1
作者
汪辉
朱建军
+2 位作者
王国宏
c bruynseraede
KMaex
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1516-1518,共3页
使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,...
使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,其相应的失效机制激活能为0.74±0.02eV,这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.
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关键词
电迁移
早期失效
表面缺陷
最弱链接近似
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职称材料
题名
Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响
被引量:
2
1
作者
汪辉
朱建军
王国宏
c bruynseraede
KMaex
机构
上海交通大学微电子学院
中国科学院半导体研究所
IMEC
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1516-1518,共3页
基金
上海市科委科研计划项目(No.03D214025)
文摘
使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,其相应的失效机制激活能为0.74±0.02eV,这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.
关键词
电迁移
早期失效
表面缺陷
最弱链接近似
Keywords
early failure
surface-defect
weakest link approximation
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响
汪辉
朱建军
王国宏
c bruynseraede
KMaex
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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职称材料
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