新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合

在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的、采用SEMiX功率模块封装技术的下一代软穿通(SPT)IGBT,即SPT+作为今后开发其它产品的平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗都要低。芯片的自钳位模式及其极富创新的SEMiX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT+的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。