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F掺杂的BN纳米管及电导特性
被引量:
2
1
作者
黄阳
岳双林
+4 位作者
顾长志
c.c.tang
Y.Bando
F.F.Xu
D.Golberg
《物理》
CAS
北大核心
2005年第11期791-792,共2页
利用一种新颖的催化生长方法,在生长BN纳米管的过程中直接引入F原子,获得了均匀F掺杂的BN纳米管.高分辨透射电子显微镜研究表明,构成BN纳米管的六元环由于F掺杂而被严重扭曲,纳米管壁由一些高度卷曲的连续片层构成.电学性质测量表明,相...
利用一种新颖的催化生长方法,在生长BN纳米管的过程中直接引入F原子,获得了均匀F掺杂的BN纳米管.高分辨透射电子显微镜研究表明,构成BN纳米管的六元环由于F掺杂而被严重扭曲,纳米管壁由一些高度卷曲的连续片层构成.电学性质测量表明,相对于无掺杂的BN纳米管而言,F掺杂BN纳米管的电导显著增加.
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关键词
BN纳米管
F掺杂
化学气相沉积
电导
原文传递
题名
F掺杂的BN纳米管及电导特性
被引量:
2
1
作者
黄阳
岳双林
顾长志
c.c.tang
Y.Bando
F.F.Xu
D.Golberg
机构
北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所
Advanced Materials Laboratory
出处
《物理》
CAS
北大核心
2005年第11期791-792,共2页
基金
国家重点基础研究发展计划(2002CB613500)
中国科学院"百人计划"和国家纳米科学中心资助项目
文摘
利用一种新颖的催化生长方法,在生长BN纳米管的过程中直接引入F原子,获得了均匀F掺杂的BN纳米管.高分辨透射电子显微镜研究表明,构成BN纳米管的六元环由于F掺杂而被严重扭曲,纳米管壁由一些高度卷曲的连续片层构成.电学性质测量表明,相对于无掺杂的BN纳米管而言,F掺杂BN纳米管的电导显著增加.
关键词
BN纳米管
F掺杂
化学气相沉积
电导
Keywords
BN nanotubes, F doping, chemical vapor deposition, electrical conductivity
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
F掺杂的BN纳米管及电导特性
黄阳
岳双林
顾长志
c.c.tang
Y.Bando
F.F.Xu
D.Golberg
《物理》
CAS
北大核心
2005
2
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