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无铅低电流电气弹簧压接技术在功率模块中应用的可靠性
1
作者
E.Frenznick
U.Scheuermann
+1 位作者
c.daucher
A.Wintrich
《电源技术应用》
2004年第12期i016-i019,共4页
运用电气压接技术的先进功率模块设计简化了装配过程。这项技术可应用于功率端子、辅助门极、发射极和传感器触点。多年来一些产品系列一直使用的是低温锡铅印刷电路板,如SKiiP或MinisKiiP。然而法规和市场需求推动的无铅运动迫使我们...
运用电气压接技术的先进功率模块设计简化了装配过程。这项技术可应用于功率端子、辅助门极、发射极和传感器触点。多年来一些产品系列一直使用的是低温锡铅印刷电路板,如SKiiP或MinisKiiP。然而法规和市场需求推动的无铅运动迫使我们新开发了适应新一代无铅驱动电路的连接技术。
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关键词
功率模块
无铅
发射极
端子
印刷电路板
驱动电路
可靠性
电气
电流
触点
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职称材料
新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合
2
作者
c.daucher
D.Seng
A.Wahi
《电源世界》
2006年第4期55-58,共4页
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片...
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT+的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。
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关键词
IGBT功率模块
芯片技术
产品平台
逆变器
设计
理想
模块封装
电压等级
芯片模块
导通损耗
原文传递
题名
无铅低电流电气弹簧压接技术在功率模块中应用的可靠性
1
作者
E.Frenznick
U.Scheuermann
c.daucher
A.Wintrich
出处
《电源技术应用》
2004年第12期i016-i019,共4页
文摘
运用电气压接技术的先进功率模块设计简化了装配过程。这项技术可应用于功率端子、辅助门极、发射极和传感器触点。多年来一些产品系列一直使用的是低温锡铅印刷电路板,如SKiiP或MinisKiiP。然而法规和市场需求推动的无铅运动迫使我们新开发了适应新一代无铅驱动电路的连接技术。
关键词
功率模块
无铅
发射极
端子
印刷电路板
驱动电路
可靠性
电气
电流
触点
分类号
TM925.03 [电气工程—电力电子与电力传动]
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合
2
作者
c.daucher
D.Seng
A.Wahi
机构
SEMIKRONElectronic GmbH & Co.KG
SEMIKRONInternational GmbH
出处
《电源世界》
2006年第4期55-58,共4页
文摘
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT+的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。
关键词
IGBT功率模块
芯片技术
产品平台
逆变器
设计
理想
模块封装
电压等级
芯片模块
导通损耗
分类号
TM464 [电气工程—电器]
TN773 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无铅低电流电气弹簧压接技术在功率模块中应用的可靠性
E.Frenznick
U.Scheuermann
c.daucher
A.Wintrich
《电源技术应用》
2004
0
下载PDF
职称材料
2
新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合
c.daucher
D.Seng
A.Wahi
《电源世界》
2006
0
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