B(C_2H_5)_3等离子辅助渗硼的研究

对新型渗硼剂Ｂ（Ｃ２Ｈ５）３的渗硼工艺进行了研究。结果表明：在正常渗硼工艺条件下，基体表面没有形成连续致密的渗硼层，而是形成了一层数μｍ厚的硼碳层；在间歇渗硼工艺条件下，基体表面形成了一层致密的渗硼层，这是因为通过溅射消除了在渗硼过程中沉积在基体表面的硼碳层。

B(CH_3O)_3等离子辅助渗硼的研究

研究了新型渗硼剂Ｂ（ＣＨ３Ｏ）３的分解离化行为及渗硼工艺。结果表明：在室温条件下Ｂ（ＣＨ３Ｏ）３主要分解离化为Ｂ（ＣＨ３Ｏ）Ｈ＋、Ｂ（ＣＨ３Ｏ）ＯＨ＋和Ｂ（ＣＨ３Ｏ）２＋；