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可透基区晶体管的制造和微波性能
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作者 c.o.bozler 梁春广 《微纳电子技术》 1980年第6期43-46,共4页
已经制出了具有极高频率性能潜力的新型晶体管。二维数值模拟计算指出,此种晶体管最高振荡频率可达1000千兆赫。此晶体管的独特之点是在 n 型砷化镓单晶内埋置极为精细的钨栅。
关键词 最高振荡频率 器件 晶体管 半导体三极管 基区 肖特基势垒 金属-半导体接触 基极 集电极电流 千兆赫 发射极
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