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可透基区晶体管的制造和微波性能
1
作者
c.o.bozler
梁春广
《微纳电子技术》
1980年第6期43-46,共4页
已经制出了具有极高频率性能潜力的新型晶体管。二维数值模拟计算指出,此种晶体管最高振荡频率可达1000千兆赫。此晶体管的独特之点是在 n 型砷化镓单晶内埋置极为精细的钨栅。
关键词
最高振荡频率
器件
晶体管
半导体三极管
基区
肖特基势垒
金属-半导体接触
基极
集电极电流
千兆赫
发射极
下载PDF
职称材料
题名
可透基区晶体管的制造和微波性能
1
作者
c.o.bozler
梁春广
出处
《微纳电子技术》
1980年第6期43-46,共4页
文摘
已经制出了具有极高频率性能潜力的新型晶体管。二维数值模拟计算指出,此种晶体管最高振荡频率可达1000千兆赫。此晶体管的独特之点是在 n 型砷化镓单晶内埋置极为精细的钨栅。
关键词
最高振荡频率
器件
晶体管
半导体三极管
基区
肖特基势垒
金属-半导体接触
基极
集电极电流
千兆赫
发射极
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
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1
可透基区晶体管的制造和微波性能
c.o.bozler
梁春广
《微纳电子技术》
1980
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