Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition

高效 InP/InGaAs 异质接面双极的晶体管(HBT ) 广泛地在高速度的电子设备和 optoelectronic 集成电路被使用了。基于 InP 的 HBT 被低压力金属制作器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 和蚀刻的湿化学药品。亚收集者和收集者在 550 ℃在 655 ℃和另外的层被种。在 HBT 压制 Zn 外面散开，基础层与 16 分钟的生长打断被种。有 emitter 的制作 HBT 2.5 ×缩放 2 显示出的 20 μ m ~ 70 ～的当前的获得 90，故障电压(BV_(CE0 ))＞ 2 V， 60 GHz 的截止频率(f_T ) 和 70 GHz 的最大的松驰频率(f_( 最大)) 。