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Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition
1
作者
LIN Tao
cai dao-min
+2 位作者
LI Xian-jie
JIANG Li
ZHANG Guang-ze
《Semiconductor Photonics and Technology》
CAS
2007年第3期215-217,234,共4页
高效 InP/InGaAs 异质接面双极的晶体管(HBT ) 广泛地在高速度的电子设备和 optoelectronic 集成电路被使用了。基于 InP 的 HBT 被低压力金属制作器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 和蚀刻的湿化学药品。亚收集者和收集者在 550 ℃在 655 ℃...
高效 InP/InGaAs 异质接面双极的晶体管(HBT ) 广泛地在高速度的电子设备和 optoelectronic 集成电路被使用了。基于 InP 的 HBT 被低压力金属制作器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 和蚀刻的湿化学药品。亚收集者和收集者在 550 ℃在 655 ℃和另外的层被种。在 HBT 压制 Zn 外面散开,基础层与 16 分钟的生长打断被种。有 emitter 的制作 HBT 2.5 ×缩放 2 显示出的 20 μ m ~ 70 ~的当前的获得 90,故障电压(BV_(CE0 ))> 2 V, 60 GHz 的截止频率(f_T ) 和 70 GHz 的最大的松驰频率(f_( 最大)) 。
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关键词
异质结
二极晶体管
有机金属化学汽相淀积
压力
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职称材料
题名
Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition
1
作者
LIN Tao
cai dao-min
LI Xian-jie
JIANG Li
ZHANG Guang-ze
机构
Department of Electronic Engineering
Hebei Semiconductor Research Institute
出处
《Semiconductor Photonics and Technology》
CAS
2007年第3期215-217,234,共4页
基金
Chinese High Technology Developing Plan(2002AA312040)
文摘
高效 InP/InGaAs 异质接面双极的晶体管(HBT ) 广泛地在高速度的电子设备和 optoelectronic 集成电路被使用了。基于 InP 的 HBT 被低压力金属制作器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 和蚀刻的湿化学药品。亚收集者和收集者在 550 ℃在 655 ℃和另外的层被种。在 HBT 压制 Zn 外面散开,基础层与 16 分钟的生长打断被种。有 emitter 的制作 HBT 2.5 ×缩放 2 显示出的 20 μ m ~ 70 ~的当前的获得 90,故障电压(BV_(CE0 ))> 2 V, 60 GHz 的截止频率(f_T ) 和 70 GHz 的最大的松驰频率(f_( 最大)) 。
关键词
异质结
二极晶体管
有机金属化学汽相淀积
压力
Keywords
heterojunction bipolar transistors
MOCVD
InP
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition
LIN Tao
cai dao-min
LI Xian-jie
JIANG Li
ZHANG Guang-ze
《Semiconductor Photonics and Technology》
CAS
2007
0
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