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翘曲度对锗烯的电子结构及光学性质的影响
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作者 熊启杭 岑伟富 +1 位作者 吕林 杨吟野 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期652-659,共8页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究不同翘曲度下锗烯的电子结构及光学性质,分析翘曲度对电子结构及光学性质的影响。采用六种不同的近似方法对锗烯的几何结构进行优化,得到最稳定的结构体系,在此基础上选取不同的翘曲度,并... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究不同翘曲度下锗烯的电子结构及光学性质,分析翘曲度对电子结构及光学性质的影响。采用六种不同的近似方法对锗烯的几何结构进行优化,得到最稳定的结构体系,在此基础上选取不同的翘曲度,并对翘曲度的稳定性进行论证得到三种较稳定的翘曲结构。通过翘曲度的调节打开锗烯的带隙,并且通过调节翘曲度实现锗烯带隙在间接带隙和直接带隙之间的转化,通过分析态密度解释了能带结构的调控机制,以及翘曲度对锗烯光学性质的影响。研究表明翘曲度能够有效地调控锗烯的电子结构和光学性质,提高光电子利用效率。 展开更多
关键词 锗烯 翘曲度 电子结构 光学性质 第一性原理 带隙
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First Principle Calculation of Electromagnetic Mechanism for Fe_2Si Bulk Material 被引量:2
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作者 LI Ruijie YANG Yinye 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2019年第1期64-68,共5页
The electronic structure and the magnetic properties of Fe_2Si bulk have been calculated by the first-principle density function theory method. The band structure shows that the hexagonal Fe^2 Si bulk is ferromagnetic... The electronic structure and the magnetic properties of Fe_2Si bulk have been calculated by the first-principle density function theory method. The band structure shows that the hexagonal Fe^2 Si bulk is ferromagnetic which is a metal structure under spin-up, and a semiconductor with the band gap of 0.518 eV under spin-down. The density of states shows the Fe^1 3d–spin and Fe^3 3d–spin in the electronic system are the main factors that is the source of the ferromagnetic properties of Fe_2Si bulk. The electronic structure Si-ions is 3s23p6 and that of Fe-ions is e_g^2↑e_g^(*1)↓t_(2g)~3↑. The molecular magnetic moment of Fe_2Si is 2.00 μB. The potential diagram of Fe_2Si bulk shows the formation of covalent and ionic bonds between the Fe atom and the Si atom, it leads to the center charge of Fe is polarized and off center position. These special properties of Fe_2Si bulk are mainly caused by d-d exchange and p-d hybridization. The results offer a certain reference for the magnetic semiconductor Fe_2Si material. 展开更多
关键词 Fe2Si ELECTRONIC STRUCTURE MAGNETIC PROPERTY FIRST-PRINCIPLE
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应变对Mo_(2)C(001)表面电子结构及光学性质的影响
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作者 吴星彤 熊启杭 +1 位作者 岑伟富 杨吟野 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2063-2070,共8页
采用第一性原理方法研究应变对Mo_(2)C(001)表面电子结构及光学性质的影响。研究表明,在应变作用下Mo_(2)C(001)表面均为间接带隙半导体,带隙随着压应变和拉应变的增加而减小。当应变为-20%时,Mo_(2)C(001)表面由间接带隙半导体转变为... 采用第一性原理方法研究应变对Mo_(2)C(001)表面电子结构及光学性质的影响。研究表明,在应变作用下Mo_(2)C(001)表面均为间接带隙半导体,带隙随着压应变和拉应变的增加而减小。当应变为-20%时,Mo_(2)C(001)表面由间接带隙半导体转变为金属性质。当应变为-20%、-15%、-10%、-5%、0%、5%、10%、15%、20%时,其带隙分别为0 eV、0.162 eV、0.376 eV、0.574 eV、0.696 eV、0.708 eV、0.604 eV、0.437 eV、0.309 eV。带隙变化的原因主要是Mo 4p、4d、5s态电子和C 3p态电子对应变敏感,在应变作用下受激发,活性增强导致价带顶在布里渊区G、A、L、M点之间变化,导带底在K、H点之间变化;当应变由-15%逐渐变化到20%时,吸收谱的第一峰逐渐减弱,并且第一峰对应的光电子能量减小,吸收带边向低能方向移动,表明光吸收随着压应变增大而增加,吸收带边随着拉应变增加向低能方向移动。其他光学性质表现出类似的变化规律,光学性质计算结果表明应变能够有效调节光吸收特性,增强光学利用率,研究结果为Mo_(2)C(001)作为新型光电子材料的应用提供理论支撑。 展开更多
关键词 Mo_(2)C 应变 (001)表面 电子结构 光学性质 第一性原理
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六方Fe_(2)Ge合金块体及其(001)表面电子结构和磁性的第一性原理
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作者 陈聪 岑伟富 +3 位作者 熊启杭 吕林 姚冰 杨吟野 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第11期1895-1902,共8页
采用基于密度泛函理论第一性原理的赝势平面波方法,计算了块体Fe_(2)Ge及其(001)表面的电子结构和磁性。考虑了两种类型的终端(001)表面:Ge(Ⅰ)-(001)表面和Ge(Ⅱ)-(001)表面。电子结构方面,不同类型的Fe_(2)Ge(001)表面都表现出金属特... 采用基于密度泛函理论第一性原理的赝势平面波方法,计算了块体Fe_(2)Ge及其(001)表面的电子结构和磁性。考虑了两种类型的终端(001)表面:Ge(Ⅰ)-(001)表面和Ge(Ⅱ)-(001)表面。电子结构方面,不同类型的Fe_(2)Ge(001)表面都表现出金属特性,这与块体的金属性保持一致。通过计算它们的自旋极化率,得出Ge(Ⅰ)-(001)表面的自旋极化程度最高。磁性方面,在块体和Ge(Ⅱ)-(001)表面的Ge原子是铁磁自旋有序的,而在Ge(Ⅰ)-(001)表面第一层的Ge原子是亚铁磁自旋有序的。此外,Ge(Ⅱ)-(001)表面Ge原子的自旋磁矩优于块体中和Ge(Ⅰ)-(001)表面Ge原子的自旋磁矩。这些结果与Fe的d态和Ge的p态电子的杂化有关,本文中通过分析它们的态密度进行了讨论。 展开更多
关键词 Fe2Ge(001)表面 电子结构 磁性 第一性原理 密度泛函理论 自旋极化率
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N_(2)在Fe_(2)Ge高对称晶面的吸附特性研究
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作者 姚冰 杨吟野 +1 位作者 岑伟富 吕林 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第6期479-484,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了N_(2)在Fe_(2)Ge多个晶面上的吸附特性,对模型的真空层厚度及截断能进行了收敛性测试,测试结果表明当真空层厚度和截断能分别设置为1 nm和900 eV时,体系结构具有较好的收敛效果。计算了Fe_(2... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了N_(2)在Fe_(2)Ge多个晶面上的吸附特性,对模型的真空层厚度及截断能进行了收敛性测试,测试结果表明当真空层厚度和截断能分别设置为1 nm和900 eV时,体系结构具有较好的收敛效果。计算了Fe_(2)Ge的(001)、(010)、(100)、(110)、(111)、(210)六个不同晶面的表面能及分析了N_(2)在这些晶面上的吸附特性,得出(001)晶面获得最低的表面能(0.218 eV),说明了N_(2)吸附在(001)晶面的可能性较大。计算了N_(2)在六个不同晶面的Fe原子顶位吸附能,结果表明了(001)晶面的Fe原子顶位吸附能负值最高(-1.86 eV),同样说明了N_(2)吸附在Fe_(2)Ge(001)表面的可能性最大。 展开更多
关键词 Fe_(2)Ge 第一性原理 表面能 吸附能
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