期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
叠层SOI MOSFET不同背栅偏压下的热载流子效应
1
作者 汪子寒 常永伟 +3 位作者 高远 董晨华 魏星 薛忠营 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期665-669,675,共6页
叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子... 叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子效应。实验结果表明,在负背栅偏压下有更大的碰撞电离,而电应力后阈值电压的退化却随着背栅偏压的减小而减小。通过二维TCAD仿真进一步分析了不同背栅偏压下的热载流子退化机制,仿真结果表明,背栅偏压在改变碰撞电离率的同时也改变了热电子的注入位置,正背栅偏压下会有更多的热电子注入到离前栅中心近的区域,而在负背栅偏压下则是注入到离前栅中心远的区域,从而导致正背栅偏压下的阈值电压退化更严重。 展开更多
关键词 叠层绝缘体上硅(SOI) 热载流子效应 背栅偏压 TCAD仿真 界面陷阱电荷
下载PDF
高强钼合金及其复合材料的研究进展 被引量:3
2
作者 郭敏 栾承华 +5 位作者 曲俊峰 常永威 孙孟勇 张丛 杨双燕 党伟 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S01期340-345,共6页
高强钼合金及其复合材料是为满足先进军工、国防、航空航天等众多工业领域发展需求而开发的,其最终目的是部分替代这些领域的钼钛合金和钢材。目前在钼基体中引入均匀弥散分布且热稳定性良好的增强体,形成钼合金及其复合材料,成为提升... 高强钼合金及其复合材料是为满足先进军工、国防、航空航天等众多工业领域发展需求而开发的,其最终目的是部分替代这些领域的钼钛合金和钢材。目前在钼基体中引入均匀弥散分布且热稳定性良好的增强体,形成钼合金及其复合材料,成为提升钼性能的热点方法。本文总结了高强钼基材料的增强相选择、制备工艺,综述了高强钼基材料的性能演变规律及强化机制,并且展望了高强韧钼基材料研究的发展趋势。 展开更多
关键词 高强 钼基材料 钼基复合材料 增强相 强化机制 制备技术
下载PDF
西藏热昌金矿地质及物探化探特征 被引量:2
3
作者 廖诗进 岳国利 +5 位作者 张诗启 廖帅北 蔡志超 常永伟 王亚珂 吕国娟 《矿产勘查》 2020年第5期868-879,共12页
西藏洛隆县热昌金矿为近年来在那曲—洛隆弧前盆地新发现的贵金属矿点。运用地质、物化探等勘查手段,圈定35个单元素异常,5个综合异常带;发现8条金矿化体,矿(化)体金品位0.315×10^-6~1.75×10^-6,单样金品位最高达4.63×10... 西藏洛隆县热昌金矿为近年来在那曲—洛隆弧前盆地新发现的贵金属矿点。运用地质、物化探等勘查手段,圈定35个单元素异常,5个综合异常带;发现8条金矿化体,矿(化)体金品位0.315×10^-6~1.75×10^-6,单样金品位最高达4.63×10^-6。通过对矿床地质及物化探特征进行综合分析,认为热昌金矿体赋存于花岗斑岩构造裂隙及与地层接触部位,受断裂及岩体控制。花岗斑岩西段深部存在低阻高激化的异常,地球化学异常Au、Cu、W等多元素套合性好,在花岗斑岩体边界及内部破碎带部位,矿化富集。热昌金矿的发现,为洛隆弧前盆地区域性找矿提供了积极的线索。 展开更多
关键词 金矿 斑岩型 物化探特征 热昌 西藏
下载PDF
130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计 被引量:2
4
作者 常永伟 余超 +2 位作者 刘海静 王正 董业民 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期17-21,共5页
针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂... 针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。 展开更多
关键词 集成电路 抗辐射 绝缘体上硅 控制芯片
下载PDF
基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计 被引量:1
5
作者 张宇飞 余超 +2 位作者 常永伟 单毅 董业民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期335-340,400,共7页
基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固... 基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置。对双互锁存储单元(DICE)加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比。测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV·cm^2·mg^(-1)的线性能量转移(LET)阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm^2·mg^(-1)和99.8 MeV·cm^2·mg^(-1)两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁。结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计(RHBD)可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力。 展开更多
关键词 标准单元库 单粒子效应(SEE) 双互锁存储单元(DICE) 抗辐射加固设计(RHBD) 绝缘体上硅(SOI)
下载PDF
改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
6
作者 程实 常永伟 +1 位作者 魏星 费璐 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第6期70-74,共5页
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(... 因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8 GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-Rich Layer Silicon-on-Insulator)。由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料。 展开更多
关键词 高阻SOI 共面波导传输线 射频损耗 表面寄生电导效应 硅离子注入 TR-SOI
下载PDF
Reaction Mechanism and Microstructure Evolution of Reaction Sintered h-BN 被引量:1
7
作者 高晓菊 ZHANG Cong +4 位作者 MAN Peng chang yongwei ZHAO Bin FANG Zhijian 成来飞 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2017年第2期345-348,共4页
Hexagonal boron nitride ceramic(h-BN) based on the nitridation of B powders was obtained by reaction sintering method. The effects of sintering temperature on the mechanical properties and microstructure of the resu... Hexagonal boron nitride ceramic(h-BN) based on the nitridation of B powders was obtained by reaction sintering method. The effects of sintering temperature on the mechanical properties and microstructure of the resultant products were investigated and the reaction mechanism was discussed. Results showed that the reaction between B and N2 occurred vigorously at temperatures ranging from 1 000 ℃ to 1 300 ℃, which resulted in the generation of t-BN. When the temperature exceeded 1 450 ℃, transformation from t-BN to h-BN began to occur. As the sintering temperature increased, the spherical particles of t-BN gradually transformed into fine sheet particles of h-BN. These particles subsequently displayed a compact arrangement to achieve a more uniform microstructure, thereby increasing the strength. 展开更多
关键词 hexagonal boron nitride ceramic reaction sintering t-BN mechanical properties microstructure
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部