IG-110核石墨经Xe^(26+)辐照后的形貌和微观结构演化

核石墨作为核反应堆的关键材料,受到核反应堆内的高通量辐照后其微观结构会产生损伤,直接影响反应堆的安全运行。为研究核石墨的辐照损伤行为,以IG-110核石墨为研究对象,研究了7 MeV Xe^(26+)辐照对核石墨的形貌和微观结构影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、掠入射X射线衍射仪、拉曼光谱仪和纳米压痕仪对IG-110核石墨的形貌和微观结构进行了表征。结果表明,在0.11 dpa剂量辐照后,IG-110核石墨表面出现“ridge-like”结构,该结构主要在黏结剂区出现,且表面粗糙度略有增加。随着剂量的进一步增加,填料区也出现“ridge-like”结构。在0.55 dpa的剂量下,因表面孔结构的闭合而引起的新孔增多,表面粗糙度增加。这种形貌和微观结构的变化归因于石墨沿C轴方向的膨胀,且石墨薄片中的缺陷密度和面内无序度随剂量的增加而增加,但力学性能呈先增加后降低的趋势。前者是由位错钉扎和微孔闭合引起的,而高剂量辐照后力学性能下降归因于孔隙率的增加和非晶结构的产生。

48 keV~1.25 MeV X/γ射线空腔电离室研制及性能测试

防护水平电离室广泛应用于核设施、放射治疗和辐射环境监测等剂量率的测量,为了提高防护水平电离室的国产化水平,设计了测量防护水平剂量率的空腔电离室。通过理论计算、蒙特卡罗模拟对电离室的室壁厚和保护极进行研究。在不同能量辐射场中对电离室性能进行测试,测试结果表明:电离室漏电流绝对值小于5 fA,工作坪区为200~800 V。在N60~N250的X辐射场和^(137)Cs、^(60)Coγ辐射场中对电离室的能量响应进行测试,当剂量率归一化到^(60)Co时,电离室能量响应相对偏差在±5%之内,电离室在半年内的长期稳定性和角响应都优于0.5%。所述电离室能够实现3 mGy/h~30 Gy/h剂量率的测量,且与约定剂量率相对偏差优于±5%。

淡水中微塑料的污染现状及去除技术研究进展

总结了淡水系统中微塑料的污染现状;系统地综述了不同水处理技术(混凝、吸附、浮选、膜分离、高级氧化以及微生物降解)对微塑料的去除效果;对不同方法的优缺点和效率进行了比较,并提出了今后可行的研究方向,为如何有效去除淡水中微塑料提供了研究基础。

4πγ电离室活度计电流检测装置设计

为快速准确检测4πγ电离室活度计中输出的极微弱电流,构建了一套基于高值电阻I-V法的宽量程、高准确度、具有校准与自动补偿功能的电流检测装置。被测电流经过改进型I-V电路取样、信号调理、模数转换以及微控制器计算处理后,以电流值的形式显示在上位机。经验证,该装置的有效电流测量范围为0.01 pA〜0.5 mA,测量误差低于0.85%±3 fA,具备极微弱电流检测条件,满足活度计的指标需求。

基于镜像射线跟踪法的电波暗室仿真设计

为提升暗室吸波工程的设计能力,运用镜像射线跟踪法对10 m法电波暗室进行仿真设计,通过合理布置吸波材料,考虑一次反射和二次反射对静区的影响,计算了不同极化方式下静区的反射电平、归一化场地衰减和场均匀性。结果表明垂直极化和水平极化时,场地电压驻波比仿真与测试偏差小于2.3 d B;归一化场地衰减仿真与测试误差小于3 d B,场均匀性误差小于2 d B。仿真与测试结果吻合较好,各项指标均满足设计要求,验证了吸波材料布局的合理性及算法的可靠性。该仿真方法可应用于暗室静区性能评估,优化吸波材料布局,进而有效缩短设计周期。

水中偏二甲肼及其转化产物检测方法研究进展

水中偏二甲肼(UDMH)及其转化产物的快速检测对于其污染控制具有重要意义。本文梳理了色谱法(包括气相色谱、高效液相色谱和离子色谱)和非色谱法(包括电化学法、分光光度法、化学发光法)对水中UDMH的检测研究进展,并简要介绍了色谱法在水中UDMH转化产物检测方面的应用研究,指出了不同检测方法在检测浓度范围、样品前处理、抗干扰能力等方面的优缺点,认为色谱前处理装置的高效自动化设计、多种分离和检测技术联用是解决水中UDMH和其转化产物检测难题的未来发展方向。

CLYC中子-γ复合测量仪设计

为实现CLYC晶体探测器用于中子-γ复合测量,研究了中子-γ脉冲甄别方法,模拟计算了CLYC晶体对中子与γ射线的能谱响应和探测效率,优化设计了快中子慢化体厚度,为CLYC中子-γ复合测量仪研制提供参考。对CLYC中子-γ复合测量仪样机测试表明:对于137Cs源γ能量分辨率为5.2%,252Cf中子源对应的峰位能量为3.2MeV,可用于中子-γ复合测量。

化学气相渗透碳化硅增强石墨泡沫的温度效应研究

通过化学气相渗透技术,在中间相沥青基石墨泡沫内部沉积了碳化硅涂层;研究了不同沉积温度对碳化硅形貌、晶体结构和强度的影响。结果表明,1223 K可以制备完整的碳化硅涂层,沉积速率较慢,晶粒尺寸较小;温度超过1423 K,易在石墨表面沉积生成热解炭,比强度开始下降。低温沉积时,临界形核自由能下降,形成的核芯数目增加,有利于形成晶粒细小而连续的SiC涂层组织,1273 K和1373 K温度条件下沉积的SiC涂层较光滑平整,比强度较高。随着沉积温度提高,抗弯强度由1223 K的1.8 MPa提高到1473 K的5.4 MPa,比强度由1273 K的3.40 MPa·cm^(3)/g提高到1373 K温度下的7.31 MPa·cm^(3)/g。沉积温度超过1423 K时,沉积的SiC晶粒粒径增加,热解炭比例升高,无定形碳比例增加,比强度有所下降。

Multi-user diversity analysis in MISO amplify-and-forward relaying network

This article analyzed multi-user diversity performance for multiple input single output （MISO） amplify-and-forward （AF） relaying network with selection combiner, and the closed-form outage probabilities for variable gain relaying and fixed gain relaying network are derived. Based on these results, diversity order is presented for variable gain relaying network. Simulation results validate the derived theoretical results, and the diversity order of variable gain relaying network with Nr available relays is K （Nt ＋ Nr） in K users＇ scenario, where Nt is the number of source transmitter antennas.