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一种无片外电容的快速响应FVF-LDO
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作者 曲直 曹海祥 +3 位作者 崔碧峰 陈芬 冯靖宇 李晋恒 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期636-640,共5页
提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构,不需额外增加辅助电路,仅使用两个电容作为检测模块,以动态调整瞬态响应,能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高... 提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构,不需额外增加辅助电路,仅使用两个电容作为检测模块,以动态调整瞬态响应,能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明,该LDO的压差为200 mV,静态电流为36μA,输入电压范围为2~4 V,低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0~10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下,产生的上冲电压为50 mV,下冲电压为66 mV,瞬态电压恢复时间为300 ns。 展开更多
关键词 电源管理 低压差线性稳压器 无片外电容 快速瞬态响应
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不同应力增透膜对半导体激光器性能的影响 被引量:6
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作者 崔碧峰 程瑾 +2 位作者 郝帅 李彩芳 王豪杰 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第1期77-79,84,共4页
采用离子辅助电子束蒸发方法,通过改变制备Al2O3增透膜时基底的温度,在边发射半导体激光器前腔面上分别制备了张应力和压应力增透膜。比较了张应力、压应力两种不同增透膜对半导体激光器性能的影响。结果表明:在10A注入电流下,当半导体... 采用离子辅助电子束蒸发方法,通过改变制备Al2O3增透膜时基底的温度,在边发射半导体激光器前腔面上分别制备了张应力和压应力增透膜。比较了张应力、压应力两种不同增透膜对半导体激光器性能的影响。结果表明:在10A注入电流下,当半导体激光器的增透膜为张应力状态时,输出功率为8.11W;当半导体激光器的增透膜为压应力状态时,输出功率为7.74W。可见,在半导体激光器前腔面制备张应力增透膜有效地提高了半导体激光器的斜率效率。 展开更多
关键词 半导体激光器 薄膜应力 斜率效率
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茶藨子属植物化学成分及药理活性研究进展 被引量:3
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作者 刘闯 雷雨晴 +3 位作者 崔弼峰 邵赟 陶燕铎 刘增根 《中国野生植物资源》 CSCD 2020年第11期56-63,共8页
茶藨子属植物在我国药用历史悠久,具有降血压、降血脂、抗菌、治疗月经不调等作用。但目前对其化学成分与药理活性的文献报道较少。本研究综述了近些年来国内外有关茶藨子属植物化学成分以及药理活性的研究进展,以期为茶藨子属植物的研... 茶藨子属植物在我国药用历史悠久,具有降血压、降血脂、抗菌、治疗月经不调等作用。但目前对其化学成分与药理活性的文献报道较少。本研究综述了近些年来国内外有关茶藨子属植物化学成分以及药理活性的研究进展,以期为茶藨子属植物的研究与开发提供科学依据。 展开更多
关键词 茶藨子属 化学成分 药理活性 科学依据
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射频系统2.5D/3D封装结构的研究进展 被引量:3
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作者 王豪杰 崔碧峰 +3 位作者 王启东 许建荣 王翔媛 李彩芳 《电子与封装》 2021年第9期32-42,共11页
射频系统封装已经成为无线通信系统重要的集成技术,对于不断向高速率、小型化、多功能方向发展的无线通信系统,先进射频系统封装结构为其提供了坚实的基础。介绍了2.5D/3D射频系统封装结构的研究进程,重点分析了中介层结构、埋入结构、... 射频系统封装已经成为无线通信系统重要的集成技术,对于不断向高速率、小型化、多功能方向发展的无线通信系统,先进射频系统封装结构为其提供了坚实的基础。介绍了2.5D/3D射频系统封装结构的研究进程,重点分析了中介层结构、埋入结构、堆叠结构中的关键工艺,并从信号传输、电磁干扰、结构集成度等多角度出发,对不同封装结构做了深入剖析。探讨了射频系统封装结构发展遇到的难题,并对当今先进封装结构在未来射频系统中的应用做了简单的展望。 展开更多
关键词 射频系统封装 中介层 堆叠 埋入 3D封装
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垂直腔面发射半导体激光器氧化优化研究
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作者 陈中标 崔碧峰 +4 位作者 郑翔瑞 杨春鹏 闫博昭 王晴 高欣雨 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期16-22,共7页
GaAs基垂直腔面发射激光器在干法刻蚀过程中,台面侧壁形成的缺陷会导致器件出现层结构分层、断裂以及氧化孔不规则等问题。针对该问题,提出了一种干法刻蚀与硫化铵钝化相结合的氧化前预处理方案,研究了硫化铵钝化处理对器件层结构以及... GaAs基垂直腔面发射激光器在干法刻蚀过程中,台面侧壁形成的缺陷会导致器件出现层结构分层、断裂以及氧化孔不规则等问题。针对该问题,提出了一种干法刻蚀与硫化铵钝化相结合的氧化前预处理方案,研究了硫化铵钝化处理对器件层结构以及氧化工艺稳定性的影响。扫描电子显微镜测试结果表明:器件侧壁层结构的分层现象减少,器件结构稳定性更好;高Al层的氧化速率更稳定,氧化孔形状更为规则。将该工艺方案用于制备氧化孔直径为5μm的940 nm垂直腔面发射激光器,室温下,与传统工艺制备的器件相比,钝化后的器件的斜率效率提高了5%,各器件之间的性能一致性更好。同时,在1 mA的驱动电流下,激光器的边模抑制比可达36 dB,处于单模激射状态。在优化后的氧化工艺条件下,制备了形状规范的氧化孔结构,进一步改善了氧化限制型垂直腔面发射激光器的性能。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器 氧化孔 湿法氧化 钝化 干法刻蚀
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大功率半导体激光器光束质量的研究与进展 被引量:3
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作者 陈芬 崔碧峰 +2 位作者 冯靖宇 郑翔瑞 陈中标 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第21期18-27,共10页
半导体激光器作为一种理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在激光雷达、光泵浦、光纤耦合等领域,对半导体激光器的要求除大功率以外,还需具有高光束质量。由于大功率半导体激光器自身的结构特点,侧向易出现多模态光束,严重影响侧向光... 半导体激光器作为一种理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在激光雷达、光泵浦、光纤耦合等领域,对半导体激光器的要求除大功率以外,还需具有高光束质量。由于大功率半导体激光器自身的结构特点,侧向易出现多模态光束,严重影响侧向光束质量。因此对大功率半导体激光器侧向模式进行控制,改善侧向光束质量,已成为行业内的研究热点。从3个部分展开:锥形激光器、宽脊波导半导体激光器光束质量控制、半导体激光器散热封装结构,分类介绍了当前国内外在控制侧向光束质量方面具有代表性的研究成果与进展。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 侧向光束质量 侧模控制
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垂直腔面发射激光器横模控制方法的研究进展 被引量:9
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作者 王翔媛 崔碧峰 +2 位作者 李彩芳 许建荣 王豪杰 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2021年第7期106-115,共10页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL工作在基横模状态,而由于VCSEL自身的结构特点,易于激射出多横模,因此对VCSEL横向模式的限制成为了研究... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL工作在基横模状态,而由于VCSEL自身的结构特点,易于激射出多横模,因此对VCSEL横向模式的限制成为了研究热点。本文综述了VCSEL横模控制方法的研究报道,分类分析了光子晶体、表面浮雕、反波导、扩展谐振腔以及高对比度光栅结构等横模控制方法的研究进展。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器 基横模 控制方法
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基底温度和离子源能量对薄膜应力的影响 被引量:3
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作者 郝帅 崔碧峰 +1 位作者 房天啸 王阳 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第9期452-458,共7页
在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO_2、TiO_2和Al_2O_3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明,三种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布... 在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO_2、TiO_2和Al_2O_3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明,三种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO_2、TiO_2和Al_2O_3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1MPa。 展开更多
关键词 薄膜 基底温度 离子源能量 折射率 平均应力
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Different structural origins for different sized surface pits observed on a-plane GaN film 被引量:1
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作者 GAO ZhiYuan LI JiangJiang +3 位作者 XUE XiaoWei cui bifeng XING YanHui ZOU DeShu 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期156-161,共6页
A correlation study between the observed surface morphology using high-resolution scanning electron microscopy(HRSEM) and the observed structural imperfections using transmission electron microscopy(TEM) has been cond... A correlation study between the observed surface morphology using high-resolution scanning electron microscopy(HRSEM) and the observed structural imperfections using transmission electron microscopy(TEM) has been conducted for a-plane Ga N. There are three different sized asymmetric surface pits: large pit of 500 nm–2 ?m in side length, medium pit of 50 nm in side length, and small pit with side lengths of less than 5 nm, which originate from incomplete island coalescence, screw dislocation, and partial dislocation(PD), respectively. Both screw dislocation and PD can produce pits on the free surface because they have a perpendicular line tension to the surface, which must remain in balance with the surface tension. The two types of dislocation lead to distinctive pit sizes because the PD has a smaller Burgers vector component along the dislocation line than the pure screw dislocation. A pit that is produced in the island-coalescing process is much larger than those caused by dislocations because island coalescence is a kinetic process that involves large-scale mass transportation, whereas the dislocation mediates the surface in the local area. These three types of surface pits sometimes interact with one another in space. The coalescence of the island determines the surface morphology at large scales, whereas the defects affect the details. 展开更多
关键词 表面凹坑 结构缺陷 GAN薄膜 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 螺型位错 起源 表面形貌
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