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一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法
1
作者
牛国富
汤庭鳌
carlos a.paz de araujo
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期9-13,共5页
采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。
关键词
亚阈值电流
MOS
场效应晶体管
下载PDF
职称材料
题名
一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法
1
作者
牛国富
汤庭鳌
carlos a.paz de araujo
机构
复旦大学电子工程系
University of Colorado
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期9-13,共5页
文摘
采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。
关键词
亚阈值电流
MOS
场效应晶体管
Keywords
Subthreshold Current, Weak Inversion, MOS Field Effect Transistor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法
牛国富
汤庭鳌
carlos a.paz de araujo
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993
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