采用SACVD改善器件电学性能

采用臭氧/正硅酸乙酯(O3/TEOS)基前驱物,通过次大气压化学气相沉积(SACVD)在深宽比高于8:1的STI和深宽比高于6:1的PMD应用中展现了优异的填充性能,并提高了器件的驱动电流,改善了PN结漏电。此外,在器件沟道区施加局部应力的方法也得到了证实。