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硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法
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作者 孙乔玉 catherine henry de villeneuve +1 位作者 力虎林 Philippe A llongue 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期86-90,共5页
提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法 .通过对新制备的 H-Si( 1 1 1 )表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面 /电解液界面的微分电容的研究 ,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系 .实践证明这是一个简... 提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法 .通过对新制备的 H-Si( 1 1 1 )表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面 /电解液界面的微分电容的研究 ,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系 .实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术 ,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具 . 展开更多
关键词 硅表面有机单分子膜 界面微分电容测量法 表征方法 膜结构
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