双结光伏单元制造成功

RFMD（www.rfmd.com）公司近日宣布,他们已成功利用公司现有标准6英寸半导体设备生产出集成GaAs（砷化镓）和InGaP（磷化铟镓）的双结光伏单元（dual-junction PV cells）。双结光伏单元的成功研制保证了未来三结结构（triple-junction structures）的发展,其最终目的是开发一种商业上可行的和具有高量产能力的高性能复合半导体太阳能电池。

砷化镓光学pHEMT制程技术使具成本效益的毫米波应用成为可能

TriQuint半导体公司日前宣布了一项新的晶圆代工工艺，新工艺将使具有成本效益的毫米波应用成为可能。称为TQP15的150mm砷化镓（GaAs）代工生产工艺专门针对Ka波段，有助于经济高效地开发毫米波（mmWave）MMIC支持各种应用，例如，VSAT、卫星通信和点对点无线电通信。

能控制量子计算机位元的新发现

美国国家技术和标准研究院开发了一种能在量子处理器中控制单个位元而不影响存储在相邻位元中信息的新方法。通过使用极化光线来制造有效磁场，科学家们希望能将量子计算机早日实用化。

可延展电子器件能实现极度的弯曲和形变 半导体纳米材料能被应用在多种设备中

一个由迈阿密工程学院、伊利诺伊州立大学和西南大学教授组成的研究小组最近开发了一种可延展电子器件的机械设计方法。该方法使得电子器件能弯曲成任意复杂形状而不损失电学性能。这种设计方法有望被应用在诸如电子眼、智能手术手套、人造器官、飞机机翼，LCD背板和生物医疗设备中。