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用于130nm/90nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统(英文)
1
作者
christine ye
Michael Oliver
+2 位作者
John Quanci
Matt VanHanehem
无
《电子工业专用设备》
2003年第6期22-25,共4页
通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集...
通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料。如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料。介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比。
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关键词
新工艺术开发
铜CMP
磨料系统
选择比
去除速率
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职称材料
题名
用于130nm/90nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统(英文)
1
作者
christine ye
Michael Oliver
John Quanci
Matt VanHanehem
无
机构
Rodel有限公司
Ray Lavoie Rodel
出处
《电子工业专用设备》
2003年第6期22-25,共4页
文摘
通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料。如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料。介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比。
关键词
新工艺术开发
铜CMP
磨料系统
选择比
去除速率
Keywords
New process development
Copper CMP
Slurry system
Selectivity
Removal rate.
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
用于130nm/90nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统(英文)
christine ye
Michael Oliver
John Quanci
Matt VanHanehem
无
《电子工业专用设备》
2003
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