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用于130nm/90nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统(英文)
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作者 christine ye Michael Oliver +2 位作者 John Quanci Matt VanHanehem 《电子工业专用设备》 2003年第6期22-25,共4页
通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集... 通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料。如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料。介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比。 展开更多
关键词 新工艺术开发 铜CMP 磨料系统 选择比 去除速率
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