高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块

减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性,并且应用简单、成本适当。本文介绍了利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。