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形成SIMOX结构的PIII新技术的研究
被引量:
3
1
作者
闵靖
chu
,
pk
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期636-640,共5页
本文报道了一种形成SIMOX结构的等离子体浸没离子注入(PIII)的新技术.与传统的离子注入相比,这种新技术具有高离子束流,大面积离子注入,极短的注入时间和低成本等优点.实验中,衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体...
本文报道了一种形成SIMOX结构的等离子体浸没离子注入(PIII)的新技术.与传统的离子注入相比,这种新技术具有高离子束流,大面积离子注入,极短的注入时间和低成本等优点.实验中,衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中.在衬底所加的负高压的作用下,氧离子直接注入硅片之中.我们研究了PIII的工艺条件,用PIII制得了具有20到50nm厚的顶层硅层和20到50nm厚的氧化硅埋层的超薄SIMOX硅片,并用RBS、XTEM等技术对样品进行了测试.
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关键词
SIMOX结构
PIII
SOI
下载PDF
职称材料
题名
形成SIMOX结构的PIII新技术的研究
被引量:
3
1
作者
闵靖
chu
,
pk
机构
香港城市大学物理和材料科学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期636-640,共5页
文摘
本文报道了一种形成SIMOX结构的等离子体浸没离子注入(PIII)的新技术.与传统的离子注入相比,这种新技术具有高离子束流,大面积离子注入,极短的注入时间和低成本等优点.实验中,衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中.在衬底所加的负高压的作用下,氧离子直接注入硅片之中.我们研究了PIII的工艺条件,用PIII制得了具有20到50nm厚的顶层硅层和20到50nm厚的氧化硅埋层的超薄SIMOX硅片,并用RBS、XTEM等技术对样品进行了测试.
关键词
SIMOX结构
PIII
SOI
Keywords
Ion implantation
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
形成SIMOX结构的PIII新技术的研究
闵靖
chu
,
pk
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
3
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