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一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文) 被引量：1
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作者 Parke S A cole bryan 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2003年第4期55-58,共4页
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能 .漏极电流将减小 ,长时间的可靠性也会受到影响 .在SOI器件中 ,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重 .本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径 。
关键词 SOI硅-绝缘体 MOSFET器件 自加热效应
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