金属碲化物[Ga(en)_3]In_3Te_7晶体结构和性质的研究

以有机溶剂热生长技术(solvothermal technique),即在180℃乙二胺(en)溶液中,以GaCl_3,InCl_3,Rb_2Te和Te在密闭容器中反应7d,制备出新的硫族化合物[Ga(en)_3]In_3Te_7.其阴离子基团为Zintl anion:_∞~2[In_3Te_7]^(3-),阳离子基因为Ga与乙二胺(en)的配合物:[Ga(en)_3]^(3+).以单晶X射线衍射技术解得该晶体结构属单钭晶系,空间群为P2_1/c,(no.14),[Ga(en)_3]In_3Te_7的晶胞数据:a=1.0460(2)nm,b=1.6981(3)nm,c=1.4994(6)nm,α=90°,β=95.46(2)°,γ=90°,V=2.651(1)nm^3,Z=4.热分析结果表明,该化合物的热分解分三步进行.光学性质测试表明它们是半导体材料,禁带宽度为1.65eV.