期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
下一代低VCEsat双极晶体管
1
作者 S.Habenicht d.oelgeschlger B.Scheffler 《电子产品世界》 2010年第10期48-49,共2页
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创... 近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创造了新的应用领域。 展开更多
关键词 双极晶体管 晶体管架构 BISS VCesat
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部