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新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合
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作者 C.Daucher d.seng A.Wahi 《电源世界》 2006年第4期55-58,共4页
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片... 在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT+的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。 展开更多
关键词 IGBT功率模块 芯片技术 产品平台 逆变器 设计 理想 模块封装 电压等级 芯片模块 导通损耗
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