射频集成电路为无线设计展示新的机遇

芯片技术的进步还未曾能完全取代射频(RF)设计所需的技术,但是目前推出的集成电路为主流设计人员进入无线领域拓展了新的机遇。这些低成本和高集成度的器件有可能建立一种利用一块芯片和少量分立器件的无线数据通信。

芯片规模封装(CSP)技术使模拟集成电路的封装尺寸接近最小极限

加利福尼亚州圣克拉拉(SantaClara,CA)

振荡器——更小的封装、更好的稳定性和更快的交货为频率基准树立了新的准则

振荡器制造者正在把它们的封装缩小很多毫米,并把稳定度提高多个ppm,创造更小、更精确的频率源。作为对市场要求缩短研制周期的反应。

500V功率MOSFET

SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO220FULLPAK）和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为0．27Ω。低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而为功率因数校正（PFC）和脉宽调制（PMW）应用节约能量，这些应用包括LCDTV、PC、服务器、通信系统和焊接机器。除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nC，品质因数为17．75。

A/D和D/A转换器IC——转换器新产品性能、集成度和价格等基本参数介绍

新公布的数据转换器芯片的调查报告,再一次揭示了芯片性能、集成度和价格方面的种种发展趋势。这份调查报告表明了转换器芯片的当前技术水平和已实现的技术特性,显示了在取样速率、功耗、集成度和价格方面的最新成就。

无线IC促进高速低成本WLAN

新一代无线LAN(WLAN)芯片的目标是突破限制当前无线数据设备发展的性能障碍和成本障碍。为24千兆赫ISM频带中的IEEE 802.11兼容应用而开发的这些设备,提供在直接序列或跳频扩频无线环境中所需的基带处理以及IF/RF电路。 直接序列结构由一家芯片厂商使用,将数据吞吐量提高到超过每秒2兆位。

模拟IC、半导体和EDA

1998年模拟和混合信号IC的主要成绩包括具有了可编程性、封装水平提高以及性能价格比的突破性提高。其他一些值得注意的宣布还有分立半导体器件设计的新方法、时钟振荡器性能的跃进,以及在EDA软件中实现片上混合信号测试的独特方法。 二种集成电路使得实现标准电路功能的灵活性达到新的水平。Xicor公司(Milpitas,加州)

功率半导体迅速增长

正在扩展的产品线和先进的处理技术保证了各种应用的更高性能 半导体销售商们意识到对高性能功率器件日益增长的需求,因此正加紧步伐进行产品开发以满足各类市场需求。 对理想的电源解决方案的需求——