PECVD参数对含氢非晶碳刻蚀特性的影响研究

分析了射频等离子体增强化学气相淀积(RFPECVD)参数对含氢非晶碳(α-C∶H)刻蚀特性的影响规律。首先,针对射频功率、丙烯流量、反应腔压强、极板间距等工艺参数对膜层刻蚀特性的影响进行了实验,并通过确定性筛选设计方法产生实验矩阵。然后,采用RFPECVD工艺在硅衬底上淀积α-C∶H。最后,运用多元回归方法对刻蚀速率、刻蚀均匀性进行了研究。结果表明,淀积工艺参数的变化对膜层的均匀性没有影响,对膜层的刻蚀速率有影响。该工艺参数对刻蚀特性的影响研究对优化CVD工艺具有参考价值。

化学外延方式的嵌段共聚物定向自组装

定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响。基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同"吸附"强度及退火时间下的线条图形光刻轮廓,分析了上述工艺条件对光刻结果的影响,发现增加退火时间、增强衬底的"吸附"强度可以有效减小电路制造缺陷。基于7 nm设计规则,改变引导图形周期,得到线条图形线宽粗糙度(LWR)以及通孔图形的光刻轮廓图,分析了引导图形周期和LWR及轮廓图质量的关系,得出当引导图形周期为2倍共聚物自然周期(2L0)时,可以得到更好的光刻图形质量,并通过2L0周期扰动实验进一步验证了该结论。

针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模

基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。

先进工艺下的版图邻近效应研究进展

在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。

棉田膜间覆盖高分子材料对土壤水盐及棉花产量的影响

研究滴灌棉田膜间覆盖不同高分子多孔隙无纺布对土壤水盐的影响,为指导盐碱地盐分调控和高分子材料的应用提供理论依据。本文通过在膜间覆盖高分子多孔隙聚酯纤维型(涤纶PET)、聚丙烯纤维型(兰丙纶PP)、聚乳酸纤维型(PLA)无纺布,分析不同处理对土壤水分、盐分和棉花产量的影响。研究结果表明:(1)与无覆盖措施相比,无纺布覆盖均能够减少地表蒸发,增加膜间土壤含水率,其中,覆盖60 d后,涤纶PET的保水效果最好,与CK相比,膜间土壤含水率增加34.95%;(2)利用无纺布进行地表覆盖后,能够不同程度地降低膜间土壤盐分及Na^(+)含量,以0~20 cm土层效果显著,各处理的脱盐效果依次为:PET>PP>PLA>CK,以涤纶PET脱盐率最高,为61.15%;(3)各处理以涤纶PET的棉花产量最高,为5177.25 kg/hm^(2),较CK高708.88 kg/hm^(2),PLA的产量最低,为4568.19 kg/hm^(2)。采用膜间覆盖高分子多孔隙无纺布减少了水分蒸发和盐分表聚,改善了作物生长的水盐环境,以涤纶PET的保水脱盐效果最好。

计算光刻研究及进展

光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了90~7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限。同时,光刻系统的衍射受限特性,以及各类系统像差、误差和工艺偏差,都会严重影响光刻成像精度。此时,必须采用计算光刻技术来提高光刻成像分辨率和图形保真度。计算光刻是涉及光学、半导体技术、计算科学、图像与信号处理、材料科学、信息学等多个专业的交叉研究领域。它以光学成像和工艺建模为基础,采用数学方法对光刻成像过程进行全链路的仿真与优化,实现成像误差的高精度补偿,能够有效提升工艺窗口和芯片制造良率,降低光刻工艺的研发周期与成本,目前已成为高端芯片制程的核心环节之一。本文首先简单介绍了计算光刻的前身,即传统的分辨率增强技术,在此基础上介绍了计算光刻的基本原理、模型和算法。之后对光学邻近效应校正、光源优化和光源掩模联合优化三种常用的计算光刻技术进行了综述,总结了相关的研究进展、成果和应用。最后,阐述了计算光刻当前所面临的需求与挑战,并讨论了最新技术进展和未来发展方向。

Effect of Epoxy Resin on the Thermal, Mechanical and Rheological Properties of Polybutylene Terephthalate/Glycidyl Methacrylate Functionalized Methyl Methacrylate-butadiene Blend

Epoxy resin was used to modify polybutylene lized methyl methacrylate-butadiene（MB-g-GMA） blend. terephthalate（PBT） and glycidyl methacrylate functiona- Results show that MB-g-GMA dispersed in PBT matrix uniformly and PBT/MB-g-GMA/epoxy blends reveal good compatibility. However, the added epoxy resin restricted the mobility of PBT macromolecular chains during the growth process of the crystal, which reduced the final crystallinity of PBT. The PBT/MB-g-GMA blend containing 1%（mass fraction） epoxy resin exhibited good mechanical properties. For example, the notched impact strength of the PBT/MB-g-GMA blend with 1%（mass fraction） epoxy resin was about 2 times that of PBT/MB-g-GMA blend. Sanning electron microscope（SEM） results show that the shear yielding of the PBT matrix and the cavitations of rubber particles were the major toughening mechanisms. The chemical reaction between PBT and epoxy resin induced the high complex viscosity and storage modulus of PBT/MB-g-GMA blend.