何时迎来宽能带隙时代?

对于功率电子而言，宽能带隙材料能够以相同甚至更低的成本，显著改善效率、尺寸及重量等指标。简单地说，宽能带隙器件具有优胜10倍的导通和开关性能，这种性能提升对于风能和太阳能、混合动力以及电动车辆的普及是至关重要的。即便功率电子绝对成本在不断降低，其成本仍然是这类系统成本中不断增加的部分。

迎接太阳光伏能源的崭新黎明

近些年来，在世界范围内的政治和经济领域中，人们对可再生能源态度的关注日益增加。虽然在去年全球经济危机中，很多可再生能源项目被削减，但是太阳能设备未来几年的安装增长率预计可能在30％～40％之间（如图1所示）。

集成肖特基二极管的沟槽功率HOSFET和DC-DC转换器的性能优势

发展单片集成MOSFET和肖特基二极管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件,这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29% 的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高 1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。