LaB_6场发射尖锥的场发射特性研究(英文)

报道了六硼化镧（LaB6）场发射尖锥的场发射性能。采用电化学腐蚀方法制作了LaB6场发射尖锥，并在10^-2～10^-7Pa的宽真空度范围内对单尖LaB6场发射二极管的发射特性进行了测试。发现残余气体电离产生的离子轰击对LaB6场发射阴极尖锥表面起到了离子清洗作用，使LaB6场发射尖锥在低真空工作后发射电流大幅度提高。离子轰击是一种适用于LaB6场发射阴极的激活处理方法。

基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计

基于二次电子发射的场致发射显示器 (HOPFED)是一种新型的场致发射器件。其新颖之处在于其独特的支撑形状 ,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能 ,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性 ,并减少了离子轰击发射源。在目前已有的结构中 ,环形的屏上光点不能使荧光粉得到充分的利用 ,而且光点尺寸较小 ,容易使荧光粉达到饱和。为了得到符合荧光粉要求的光点形状 ,本文提出了diabolo形状flu支撑、ZEUs形状hop支撑以及长flu支撑三种支撑形状 ,并采用数值计算的方法对这几种不同的支撑结构对屏上光点的影响进行了模拟计算。计算结果表明 ,对这三种不同的支撑形状进行优化以后都能得到符合荧光粉的要求的屏上光点。在现有的工艺条件下 ,长flu支撑是一种能改善光点和场强分布 ,而又易于制作的支撑结构。

背光源的发展趋势(续完)(第二部分)

侧重介绍了LCD背光源用的光源的功耗。除了荧光灯(FLs)外还介绍了场致发射显示器(FEDs)、发光二极管(LEDs)和有机发光二极管(OLEDs)的原理、特性及优缺点比较。讨论了一维光源(管状光源)和二维光源(面光源)在LCDTV中应用的可能性。管状光源分为冷阴极荧光灯(CCFLs)、外电极荧光灯(EEFLs)和热阴极荧光灯(HCFLs)。指出Philips照明公司的扫描型HCFLs用于背光源是改善LCDTV图像质量的一个方向。FEDs、OLEDs和LEDs都可作为二维背光源用于LCDTV中,但是目前只有LEDs被用于LCDTV中的BLU。

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED)。此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信息。

用于场发射显示的大面积碳纳米纤维阴极

目前我们已经开发了用于场发射显示的碳纳米管发射体制作工艺。该工艺有希望被用于在玻璃衬底上制作大面积碳纳米管阴极,而且还可以在低于玻璃熔化点的条件下定位生长碳纳米管。在一个8×8 cm2的试验件上,展示了全部象素的特性。测试表明,在电场强度为1.79V/μm的条件下,可提供0.9mA/cm2的电流密度;在4.25V/μm的情况下可高达2.7 mA/cm2的电流密度。进而成功地同比放大制成16in阴极。我们期望所制成的大面积碳纳米管阴极,能用于32in、60in或更大面积的场发射显示器。

真空显示器件的魅力还在吗?

液晶电视的优势使它很可能在本世纪的头十年内推翻CRT在电视市场的霸主地位。然而,那并不意味着真空显示器件将匆忙退出舞台,超薄型CRT会部分地与FPD显示器件在外型薄的优势方面展开竞争。甚至,它可以通过改进结构来显示出FED的特性。

嵌入式数字课桌进入校园

在巴西,嵌入式数字课桌以其动态的交互式界面和海量信息传载,已经取代传统课桌遍布校园,并得到了广泛应用。

场致发射显示中的跳跃式电子传输

Spindt锥尖技术花费过于昂贵,而碳纳米管产生的亮度不均匀,但HOPFED技术能够实现FED技术的期望。

INFLUENCE OF ELECTRICAL AND STRUCTURAL PARAMETERS ON THE PERFORMANCE OF THE SPACERS IN HOPFED

The HOPping Field Emission Display (HOPFED) is a new architecture for field emission displays. The main difference between a conventional Field Emission Display (FED) device and a HOPFED lies in the spacer structure. In a HOPFED, two dielectric plates, named hop and flu spacer, are sandwiched between the emitter and the front plate. The objective of this spacer structure is to improve the performance of a FED substantially with notable contrast, color purity and luminance uniformity. In order to optimize the structure of the device and to make the electron spot on the screen match the requirement of the phosphor dot dimension, the influence of electrical and structural parameters of the device on the electron spot profile was studied by numerical simulation in this paper. Monte Carlo method was employed to calculate the potential distribution inside hop and flu spacers due to secondary electrons mechanism plays an important role in HOPFED. The results indicated that the potential distribution in the spacers and spot profile depended strongly on the hop voltage, anode voltage and spacer's layout. This study may provide a useful theoretical support for optimizing the structure in HOPFED.