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半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱
1
作者
俞志毅
黄叶肖
+3 位作者
陈建湘
叶红娟
沈学础
e.e.haller
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第11期1869-1873,共5页
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线...
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10~7cm^(-3);在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到与浅杂质更高激发态有关的跃迁。
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关键词
半导体
浅杂质
光热电离光谱
原文传递
题名
半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱
1
作者
俞志毅
黄叶肖
陈建湘
叶红娟
沈学础
e.e.haller
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室
美国加州大学伯克利分校劳伦斯伯克利实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第11期1869-1873,共5页
文摘
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10~7cm^(-3);在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到与浅杂质更高激发态有关的跃迁。
关键词
半导体
浅杂质
光热电离光谱
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱
俞志毅
黄叶肖
陈建湘
叶红娟
沈学础
e.e.haller
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
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