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Doping of Cadmium Telluride by Indium at Nanosecond Laser Irradiation of In/CdTe Structure
1
作者
Vitaly Veleschuk
Alexander Vlasenko
+4 位作者
elena gatskevich
Volodymyr Gnatyuk
Gennadii Ivlev
SergeyLevytskyi
Toru Aoki
《材料科学与工程(中英文B版)》
2012年第4期230-239,共10页
关键词
量子点结构
CDTE
激光照射
纳秒脉冲
碲化镉
掺杂
ND:YAG激光器
STEFAN问题
下载PDF
职称材料
题名
Doping of Cadmium Telluride by Indium at Nanosecond Laser Irradiation of In/CdTe Structure
1
作者
Vitaly Veleschuk
Alexander Vlasenko
elena gatskevich
Volodymyr Gnatyuk
Gennadii Ivlev
SergeyLevytskyi
Toru Aoki
机构
V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine
B.I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Belarus
Research Institute of Electronics
出处
《材料科学与工程(中英文B版)》
2012年第4期230-239,共10页
关键词
量子点结构
CDTE
激光照射
纳秒脉冲
碲化镉
掺杂
ND:YAG激光器
STEFAN问题
Keywords
Nanosecond laser irradiation, diffusion, doping, In/CdTe.
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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1
Doping of Cadmium Telluride by Indium at Nanosecond Laser Irradiation of In/CdTe Structure
Vitaly Veleschuk
Alexander Vlasenko
elena gatskevich
Volodymyr Gnatyuk
Gennadii Ivlev
SergeyLevytskyi
Toru Aoki
《材料科学与工程(中英文B版)》
2012
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