Self-organized metal-semiconductor epitaxial graphene layer on off-axis 4H-SiC（0001）

graphene 的显著性质在未来电子学为新观点显示出诺言，尤其是为纳米规模设备。这里，我们在离开轴 4H-SiC (0001 ) 上取向附生地种 graphene 底层并且表明单层 graphene 的周期的安排的形成在上平面(0001 )\ 上的平台和伯纳尔 bilayer graphene ((11 \bar 20 )\) nanofacets 原文如此。我们用拉曼光谱学，原子力量 microscopy/electrostatic 力量显微镜学(AFM/EFM ) 和 X 光检查和解决的角度调查这些侧面的超点阵光致核裂变光谱学(XPS/ARPES ) 。EFM 和 ARPES 的关联在 \ 上在叠 AB 的 bilayer graphene 揭示永久电子乐队差距的外观((11 \bar 20 )\) 原文如此 150 兆电子伏的 nanofacets。这个特征被密度证实功能的理论(DFT ) 计算。在底层和 graphene bilayer 之间的费用转移导致在顶和打开精力差距的底部 graphene 层之间的不对称的费用分布。这个表面组织能因此被定义为自我组织的金属半导体 graphene。