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Single step fabrication of N-doped graphene/Si3N4/SiC heterostructures
被引量:
1
1
作者
emilio velez-fort
Emiliano Pallecchi
+5 位作者
Mathieu G. Silly
Mounib Bahri
Gilles Patriarche
Abhay Shukla
Fausto Sirotti
Abdelkarim Ouerghi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2014年第6期835-843,共9页
关键词
掺杂石墨
氮化硅
X射线光电子能谱
异质结
碳化硅
加工
单步
低能电子衍射
原文传递
Self-organized metal-semiconductor epitaxial graphene layer on off-axis 4H-SiC(0001)
2
作者
Debora Pierucci
Haikel Sediri
+8 位作者
Mahdi Hajlaoui
emilio velez-fort
Yannick J. Dappe
Mathieu G. Silly
Rachid Belkhou
Abhay Shukla
Fausto Sirotti
Noelle Gogneau
Abdelkarim Ouerghi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2015年第3期1026-1037,共12页
graphene 的显著性质在未来电子学为新观点显示出诺言,尤其是为纳米规模设备。这里,我们在离开轴 4H-SiC (0001 ) 上取向附生地种 graphene 底层并且表明单层 graphene 的周期的安排的形成在上平面(0001 )\ 上的平台和伯纳尔 bilayer ...
graphene 的显著性质在未来电子学为新观点显示出诺言,尤其是为纳米规模设备。这里,我们在离开轴 4H-SiC (0001 ) 上取向附生地种 graphene 底层并且表明单层 graphene 的周期的安排的形成在上平面(0001 )\ 上的平台和伯纳尔 bilayer graphene ((11 \bar 20 )\) nanofacets 原文如此。我们用拉曼光谱学,原子力量 microscopy/electrostatic 力量显微镜学(AFM/EFM ) 和 X 光检查和解决的角度调查这些侧面的超点阵光致核裂变光谱学(XPS/ARPES ) 。EFM 和 ARPES 的关联在 \ 上在叠 AB 的 bilayer graphene 揭示永久电子乐队差距的外观((11 \bar 20 )\) 原文如此 150 兆电子伏的 nanofacets。这个特征被密度证实功能的理论(DFT ) 计算。在底层和 graphene bilayer 之间的费用转移导致在顶和打开精力差距的底部 graphene 层之间的不对称的费用分布。这个表面组织能因此被定义为自我组织的金属半导体 graphene。
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关键词
4H-SIC
金属半导体
自组织
石墨
角分辨光电子能谱
离轴
体外
静电力显微镜
原文传递
题名
Single step fabrication of N-doped graphene/Si3N4/SiC heterostructures
被引量:
1
1
作者
emilio velez-fort
Emiliano Pallecchi
Mathieu G. Silly
Mounib Bahri
Gilles Patriarche
Abhay Shukla
Fausto Sirotti
Abdelkarim Ouerghi
机构
CNRS-Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN)
Universite Pierre et Marie Curie (CNRS - IMPMC)
Synchrotron-SOLEIL
出处
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2014年第6期835-843,共9页
关键词
掺杂石墨
氮化硅
X射线光电子能谱
异质结
碳化硅
加工
单步
低能电子衍射
Keywords
epitaxial graphene,spectroscopy,nitrogen-doped graphene,low-energy electronmicroscopy,electronic properties
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TL627 [核科学技术—核技术及应用]
原文传递
题名
Self-organized metal-semiconductor epitaxial graphene layer on off-axis 4H-SiC(0001)
2
作者
Debora Pierucci
Haikel Sediri
Mahdi Hajlaoui
emilio velez-fort
Yannick J. Dappe
Mathieu G. Silly
Rachid Belkhou
Abhay Shukla
Fausto Sirotti
Noelle Gogneau
Abdelkarim Ouerghi
机构
CNRS- Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
Synchrotron-SOLEIL
Universite Pierre et Marie Curie (CNRS - IMPMC)
Service de Physique de rEtat Condense (CNRS URA
出处
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2015年第3期1026-1037,共12页
文摘
graphene 的显著性质在未来电子学为新观点显示出诺言,尤其是为纳米规模设备。这里,我们在离开轴 4H-SiC (0001 ) 上取向附生地种 graphene 底层并且表明单层 graphene 的周期的安排的形成在上平面(0001 )\ 上的平台和伯纳尔 bilayer graphene ((11 \bar 20 )\) nanofacets 原文如此。我们用拉曼光谱学,原子力量 microscopy/electrostatic 力量显微镜学(AFM/EFM ) 和 X 光检查和解决的角度调查这些侧面的超点阵光致核裂变光谱学(XPS/ARPES ) 。EFM 和 ARPES 的关联在 \ 上在叠 AB 的 bilayer graphene 揭示永久电子乐队差距的外观((11 \bar 20 )\) 原文如此 150 兆电子伏的 nanofacets。这个特征被密度证实功能的理论(DFT ) 计算。在底层和 graphene bilayer 之间的费用转移导致在顶和打开精力差距的底部 graphene 层之间的不对称的费用分布。这个表面组织能因此被定义为自我组织的金属半导体 graphene。
关键词
4H-SIC
金属半导体
自组织
石墨
角分辨光电子能谱
离轴
体外
静电力显微镜
Keywords
epitaxial graphene layer,monolayer,bilayer,band gap opening,Bernal stacking,off-axis silicon carbide,electronic properties
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Single step fabrication of N-doped graphene/Si3N4/SiC heterostructures
emilio velez-fort
Emiliano Pallecchi
Mathieu G. Silly
Mounib Bahri
Gilles Patriarche
Abhay Shukla
Fausto Sirotti
Abdelkarim Ouerghi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2014
1
原文传递
2
Self-organized metal-semiconductor epitaxial graphene layer on off-axis 4H-SiC(0001)
Debora Pierucci
Haikel Sediri
Mahdi Hajlaoui
emilio velez-fort
Yannick J. Dappe
Mathieu G. Silly
Rachid Belkhou
Abhay Shukla
Fausto Sirotti
Noelle Gogneau
Abdelkarim Ouerghi
《Nano Research》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2015
0
原文传递
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