穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑

采用3维（3D）芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统，是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔（Thmugh Silicon Via，TSV）的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。这个技术很快已经初具雏形：公司和研究中心已经找到许多可能的方法实现TSV，并与3D模块集成。

使用再分布技术改善倒装芯片组装热疲劳可靠性

芯片上键合焊盘的设计,可以利用淀积型多芯片组件(MCM-D)的再分布技术,组排新的设计图形。这种新的焊盘布排,可以用作倒装芯片的组装。这些再分布的、倒装芯片结构的、热机械的可靠性,取决于焊点的粘塑性变形,以及 BCB(苯丁烷丁烯聚合物)光敏胶再分布层中的应力。本文将研究再分布层对焊接处可靠性的影响,以及减小再分布层中的应力,使其不超过极限应力值。考虑了三种不同的再分布层工艺,利用有限元仿真和根据 Coffin-Manson 的可靠性模型,对再分布的和标准的倒装芯片组件的热循环可靠性进行了比较。芯片上光敏再分布层 BCB 胶的存在,影响焊点的热疲劳。利用再分布芯片取得的最大的可靠性改善,是靠焊点从芯片周边移到内部,形成面阵列倒装芯片的结果。

用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术

数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。

来自下方的电源

一段时间以来,每种新处理器产生的废热都比原先的要多。如果芯片还是按2000年代早期的轨迹发展,它们的热功率很快将达到每平方厘米6400瓦,相当于太阳表面的功率通量。但事情没有变得那么糟糕,工程师们在努力控制芯片功耗。在性能方面,数据中心的片上系统(SoC)设计一直仅次于超级计算机处理器,它们的功耗通常为200至400瓦/平方厘米。智能手机芯片的典型功耗为5瓦左右。