Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究

本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m~*(E_F)、m~*(E_o)、反型层平均厚度Z_i、耗尽层厚度Z_d,以及它们随子能带电子浓度N_s的变化。

InP δ掺杂的输运特性

测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.

HgGdTe子能带电子的磁光共振

报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10^(17)cm^(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。

HgCdTe反型层电子子能带物理

本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、有效质量、反型层耗尽层厚度等,并推导了由于自旋轨道相互作用而引起的电致自旋分裂子能带的色散关系和朗道能级扇形图,还研究了朗道能级以及自旋能级间的光跃迁问题。

HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究

提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10^(16)～4×10^(17)cm^(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10^(17)cm^(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态.

DL-和L-色氨酸中生长猪中的应用

蛋白质的利用率在很大程度上取决于日粮中氨基酸的组成,日粮氨基酸组成与猪的氨基酸需要越接近,蛋白质的利用效率就越高。据英国ARC(1981)估计的生长猪氨基酸需要量,在玉米—豆饼型日粮中色氨酸是继赖氨酸和蛋氨酸之后的第三限制性氨基酸。因此,在玉米—豆饼型日粮中添加色氨酸成为提高日粮蛋白质利用率的措施之一。现在市场供应的色氨酸都是DL-异构体,而有关D-异构体对猪的生物活性方面的资科很有限且差异大,Shelton等(1951)及Thompson等(1952)

p-HgCdTe反型层中的子能带色散关系和Landau能级

本文从Kane模型出发并考虑表面自旋轨道相互作用,推出了窄禁带半导体子能带色散关系和Landau能级的表达式,并在4.2K下对p-HgCdTe MIS结构样品测定了电容电压谱、磁导振荡谱和迴旋共振谱,从实验上确定了子能带色散关系和Landau能级表达式中所包括的子能带参数和自旋轨道祸合强度,从而定量地给出HgCdTe反型层电子子能带色散关系和Landau能级扇形图;定量描述了零场分裂效应和Landau能级的移动和交叉效应。

DISPERSION RELATION AND LANDAU LEVELS OF INVERSION LAYER SUBBAND ON p-HgCdTe

Starting from Kane's model and taking into account the surface electron spin-orbit interaction, we have derived the dispersion relation and Landau levels of inversion layer subband on narrow-gap semiconductors. The capacitance-voltage spectroscopy, magnetoconductivity oscillations and cyclotron resonance spectroscopy for the p-Hg_(1-x)Cd_x Te MIS structure sample at temperature 4.2 K have been measured. From the experimental data, the subband parameters and spin-orbit coupling intensity, which are involved in the expressions of subband dispersion relation and Landau levels, have been determined. As a result, the inversion layer electron subband dispersion relation and Landau level fan chart for HgCdTe as well as the zero field spin splitting effect, the shifting and the crossing effect of Landau levels have been described quantitatively.