低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应的温度相关性

为了揭示低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应与温度之间的关系,在德国鲁尔大学实验室的100kV加速器上系统测量了T=200℃时元素周期表中第三、四族以及镧系元素氘化靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应.由于氘在介质中的溶度(介质对氘的吸附能力)随温度升高而迅速下降,该温度下金属表面不能形成氘化物,导致金属性增强,因而观测到了比常温下更显著的电子屏蔽效应.这一测量结果可以用德拜模型来解释.为了进一步验证德拜模型,还测量了不同温度下氘化Co和Pt靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应,得到了电子屏蔽效应和温度相关性的曲线.实验结果与德拜模型的预言相符.

低能^(12)C+^(12)C反应的测量

在鲁尔大学DTL实验室4MV串列加速器上利用12C束流轰击高纯度的C靶.通过γ谱学方法测量了Ec.m.=2.10-4.75MeV12C+12C熔合蒸发反应,并导出了12C(12C,α)20Ne和12C(12C,p)23Na反应的天体物理S(E)*因子.在Ec.m.≤3.0MeV时发现新的共振.特别是在Gamow峰的高能尾部Ec.m.=2.14MeV处出现强共振峰.当T=8×108K时,这些共振使得α链的反应率比无共振情况下提高了近5倍.