碲镉汞量子点的离子交换能带调控及其近红外自吸收性质

通过软化学方法制备单分散的CdTe量子点,调节Hg^(2+)的浓度离子交换实现从可见到近红外光谱准连续可调的碲镉汞(Hg_(x)Cd_(1-x)Te)量子点制备。深入分析了近红外Hg_(0.33)Cd_(0.67)Te量子点的变温光致发光及其自吸收特性,研究结果表明:碲镉汞量子点的荧光强度随着温度的升高(0∼100℃)呈线性降低趋势,谱线展宽,峰位发生红移(12 nm);量子点的吸收和发射光谱部分重叠导致自吸收效应随着量子点的浓度增加而增强,导致量子点荧光强度的降低。

碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展

赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,Hg_(x)Cd_(1-x)Te)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。为了获得性能优异的Hg_(x)Cd_(1-x)Te探测器及其组件,目前已经发展了各种Hg_(x)Cd_(1-x)Te材料制备技术和器件制作工艺。但在各种材料制备及器件应用过程中,Hg_(x)Cd_(1-x)Te表面均会受到环境和不良表面效应的影响,所以需要采用先进的钝化工艺对其表面电荷态进行处理,改善材料表面的电学物理特性,从而实现器件探测性能的提升。因此,Hg_(x)Cd_(1-x)Te薄膜表面钝化工艺对Hg_(x)Cd_(1-x)Te红外探测器的性能提升至关重要。总结和分析了近年来碲镉汞薄膜表面钝化层的生长方法。按照本源钝化和非本源钝化进行了分类总结和综述,分析了不同钝化方法的优缺点,并对未来碲镉汞薄膜钝化工艺进行了展望。

Mechanical Property Evaluation of GaAs Crystal for Solar Cells

The mechanical properties of Si-doped(111)GaAs crystal for solar cells are investigated by means of a microindentation technique.Vickers'microhardness Hv exhibits a nonlinear relationship with the applied load.In the range of 0.1–1 kg,Hv is decreased from 5.59 GPa to 5.03 GPa.Such a phenomenon is explained on the basis of indenter penetration.The Hv value can effectively be presumed by Kick's law,and Meyer's index n is calculated to be 1.90.For the fracture toughness Kc of the GaAs crystal,it also displays nonlinear behavior related to the applied load,which is caused by energy dissipation during the development process of cracks on the wafer.

Er^(3+)/Tm^(3+)共掺铋硅酸盐玻璃2.0μm光谱性质（英文）

用高温熔融法制备了Er^(3+)/Tm^(3+)共掺杂无铅铋硅酸盐玻璃.测试了玻璃的吸收光谱和荧光光谱,分析和表征了Er^(3+)、Tm^(3+)离子之间的能量传递机制和传递效率,结果表明:在800 nm和1 550 nm光源泵浦下,Er^(3+)的掺入能够增强Tm^(3+)离子1.8μm发光,相应的最大发射截面分别为6.7×10^(-21)cm^2和7.3×10^(-21)cm^2,荧光带宽达到250 nm.根据Dexter-Foster模型,得到Er^(3+):~4I_(13/2)能级到Tm^(3+):~3F_4能级的直接能量传递系数为16.8×10^(-40)cm^6/s,为1 550 nm泵浦下获得较强的1.8μm发光奠定了基础.