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SIMS investigation on the 3C-SiC on Si
1
作者
HAN Ji-sheng
Sima Dimitrijev
+1 位作者
fred kong
Armand Atanacio
《材料科学与工程（中英文版）》
2009年第8期15-17,26,共4页
关键词
SIC薄膜
SIMS
3C
硅片
能量水平
浓度测量
掺杂浓度
电导率测量
下载PDF
职称材料
题名
SIMS investigation on the 3C-SiC on Si
1
作者
HAN Ji-sheng
Sima Dimitrijev
fred kong
Armand Atanacio
机构
Queensland Microtechnology Facility and Griffith School of Engineering
Australian Nuclear Science and Technology Organization
出处
《材料科学与工程（中英文版）》
2009年第8期15-17,26,共4页
关键词
SIC薄膜
SIMS
3C
硅片
能量水平
浓度测量
掺杂浓度
电导率测量
Keywords
3C-SiC
SIMS
oxygen concentration
nitrogen concentration
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
O657.99 [理学—分析化学]
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职称材料
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作者
出处
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1
SIMS investigation on the 3C-SiC on Si
HAN Ji-sheng
Sima Dimitrijev
fred kong
Armand Atanacio
《材料科学与工程（中英文版）》
2009
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