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高可靠性IGBT模块封装的设计 被引量:5
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作者 Yoshitaka Nishimura Kazunaga Oonishi +2 位作者 fumihiko momose Tomoaki Goto 袁海斌(译) 《电力电子》 2010年第4期62-66,共5页
本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的材料。因为不同的热膨胀系数,层间介面处的物理损坏会伴随着一系列温度循环而不断累积。IGBT模块的寿命... 本文给出了当前的IGBT模块封装设计的原则,重点是封装结构和可靠性之间的关系,特别是温度循环性能。复杂的IGBT模块内部含有不同的材料。因为不同的热膨胀系数,层间介面处的物理损坏会伴随着一系列温度循环而不断累积。IGBT模块的寿命周期主要依赖于其材料的组合和结构设计上。作为一种尝试,本文针对未来IGBT在较高的运行温度下的可能性,谈到了当前的热优化设计和键合技术研究。 展开更多
关键词 IGBT模块 高可靠性 封装设计 模块封装 温度循环 热膨胀系数 封装结构 循环性能
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