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自对准阻挡层提高互连可靠性
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作者 H.J.Wu J.O'loughlin +8 位作者 R.Shaviv M.Sriram K.Chattopadhyay Y.Yu T.Mountsier B.van Schravendijk S.Varadarajan g.dixit R.Havemann 《集成电路应用》 2008年第7期33-35,共3页
一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层,作为低成本的简单方法,可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。
关键词 阻挡层 自对准 铜互连 可靠性 PECVD 抵抗能力 低成本 电迁移
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