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自对准阻挡层提高互连可靠性
1
作者
H.J.Wu
J.O'loughlin
+8 位作者
R.Shaviv
M.Sriram
K.Chattopadhyay
Y.Yu
T.Mountsier
B.van Schravendijk
S.Varadarajan
g.dixit
R.Havemann
《集成电路应用》
2008年第7期33-35,共3页
一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层,作为低成本的简单方法,可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。
关键词
阻挡层
自对准
铜互连
可靠性
PECVD
抵抗能力
低成本
电迁移
下载PDF
职称材料
题名
自对准阻挡层提高互连可靠性
1
作者
H.J.Wu
J.O'loughlin
R.Shaviv
M.Sriram
K.Chattopadhyay
Y.Yu
T.Mountsier
B.van Schravendijk
S.Varadarajan
g.dixit
R.Havemann
机构
Novellus Systems Inc.
出处
《集成电路应用》
2008年第7期33-35,共3页
文摘
一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层,作为低成本的简单方法,可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。
关键词
阻挡层
自对准
铜互连
可靠性
PECVD
抵抗能力
低成本
电迁移
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN966 [电子电信—信号与信息处理]
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发文年
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1
自对准阻挡层提高互连可靠性
H.J.Wu
J.O'loughlin
R.Shaviv
M.Sriram
K.Chattopadhyay
Y.Yu
T.Mountsier
B.van Schravendijk
S.Varadarajan
g.dixit
R.Havemann
《集成电路应用》
2008
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