晶圆干燥缺陷的机理与控制

长期以来,人们对于硅片在经过HF湿法处理之后出现的水印早已有所认识,尤其是图形包含亲水和疏水层时最为明显。我们系统地研究了经过HF后道处理之缺陷形成的机理,并确认了与先前报道的水印截然不同的缺陷类型。根据X射线和其它分析表明,认为这些缺陷与周围环境残余的汽相HF和随后的晶圆表面反应有关。根据反应腔室HF浓度的不同可以产生不同类型的缺陷。由于水印是由硅在水中的氧化和随后产生的氧化物的分解形成的,少量的HF具有加速这个过程的效果。形成不同缺陷的条件,还有避免这些缺陷的策略均得以认定。正确的排空管理是一个关键的因素。最后发现,重参杂的硅更易产生缺陷。