基于特征迁移的螺栓图像超分辨率处理方法

针对输电线路巡检采集的螺栓图像存在模糊、分辨率低等问题,本文根据螺栓之间相似度较高的特点,提出了一种基于特征迁移的螺栓图像超分辨率处理方法。本文首次将特征迁移引入螺栓图像超分中,先对比低分辨率图像与清晰参考图像的特征区域,将图像之间相似度高的区域进行特征迁移,并根据迁移特征的相似度调整迁移特征的比例,然后在感知损失函数中加入迁移特征相似度的约束,保证迁移特征的准确性。不同超分模型的螺栓图像超分实验结果表明,本方法的螺栓超分图像更清晰,峰值信噪比、结构相似性指标更优;此外,超分前后螺栓图像的缺陷识别实验对比结果表明,超分后螺栓的缺陷识别准确率提升了3.61%,实验结果验证了本文方法的有效性。

基于FCIS模型的输电线路部件同时检测与分割方法

实时监测并及时诊断输电线路故障是输电线路安全运行的前提。由于输电线路图像拍摄环境复杂,单独的检测或分割不能满足实时性要求,且图中小部件和遮挡部件难以提取,因此为了更精准地定位目标位置、检测并分割出图中小部件和遮挡部件,提出一种改进全卷积实例感知语义分割(FCIS)的输电线路部件同时检测与分割方法。将兴趣区对准(ROI Align)算法的思想引进到FCIS模型中,提出位置敏感区域前景/背景—感兴趣区域对准(PS2-ROI Align)方法,使用双线性插值法可以有效地解决输入图像特征图中的ROI与原图中位置信息不匹配的问题,并且引用梯度回传算法解决图像中小金具及遮挡金具特征难提取导致检测与分割精度差的问题。在本次构建的输电线路检测与分割数据集中进行检测分割实验,结果表明,改进前图中未能检测分割的小目标及遮挡目标得到了有效的检测分割,对比其他检测模型,改进后FCIS模型平均准确率(mAP)最高,并且相比改进前提升了1.73%。

基于遮挡关系推理的输电线路图像金具检测

实现输电线路图像典型金具的精准检测是进行其缺陷检测的前提。针对通用目标检测模型对密集分布、遮挡严重的金具检测精度较低、易出现漏检等问题,提出了一种结合金具间遮挡结构信息和场景关联信息的典型金具检测方法。基于经典的FasterR-CNN模型提取金具特征作为节点,提取整张图像特征作为金具场景关联信息,学习金具标注框间相交区域信息作为金具遮挡关系信息,并采用图同时建模金具特征、场景关联信息和遮挡关系信息,通过门控循环单元信息传递机制构建结构推理模块完成金具类别和位置的联合推理检测。为了验证所提方法的有效性,选取了8类存在遮挡连接关系的金具进行实验,其中,原始Faster R-CNN模型的mAP值为81.30%,改进模型的mAP值为84.15%。实验结果表明,本文方法一定程度上提高了遮挡严重金具的检测精度,为后续的金具故障诊断奠定良好的基础。

纺涤纶POY彩色丝卷绕设备的技术改造

采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)灰色切片为原料,生产530dtex/96f灰色涤纶预取向丝(POY),对现有卷绕设备进行技术改造,阐述了主要改造措施及实施效果。结果表明:以新型ZWT612-180全自动卷绕头替代BW1235半自动卷绕头,以?160mm×180mm的大导丝盘替代?160mm×160mm的导丝盘,重新制作基础底板及导轨,对兔子头进行喷油雾润滑,选用陶瓷导丝器,生产涤纶POY彩色丝时,无废丝,满卷切换成功率达98.5%以上,在加弹过程中POY退净率达95%以上;相比BW1235半自动卷绕头,使用ZWT612-180全自动卷绕头生产灰色涤纶POY,POY产品的线密度、断裂强度、断裂伸长率的变异系数均降低,产品质量得到提高,经济效益明显。

Performance evaluation of anti-radiation based on the gamma degradation process

In the environment of space radiation, the high-energy charged particles or high-energy photons acting on a spacecraft can cause either temporary device degradation or permanent failure. The traditional probability model is difficult to obtain reliable estimation of unit radiation resistance performance with small samples. Considering that different products will change differently after high-energy particle radiation, we construct a model based on the gamma degradation process. This model can efficiently describe the law of unit radiation resistance variation with the total radiation dose levels under the effect of the total dose and displacement damage. Finally, the proposed model is used to assess the anti-radiation performance of the N-channel power MOSFET device STRH60N20FSY3 produced by STM to obtain average unit radiation resistance, survival probability, survival function, etc.