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Recent Development in Reliability Physics and Failure Analysis
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作者 guang-bo gao 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期1-4,共4页
This tutorial will cover the basic failure mechanisms of all semiconductor devices and the recent development in this field. Back to 1980,I was mentioned that from reliability point of view,'Any semiconductor devi... This tutorial will cover the basic failure mechanisms of all semiconductor devices and the recent development in this field. Back to 1980,I was mentioned that from reliability point of view,'Any semiconductor devices & ICs can be considered as a system'.Near 30 years passed,device size reduced from 1.0-3.0μm down to 10-30 nm,devices and ICs have became systems.Today,I like to propose that any devices & ICs can be considered as a semiconductor building. 展开更多
关键词 电子产品 可靠性分析 物理学 半导体
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AlGaAs/GaAs HBT的设计研究
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作者 guang-bo gao 张汉三 《半导体情报》 1991年第4期40-49,共10页
利用BIPOLE计算机程序,评价了具有不同版图、不同掺杂分布和不同层厚的AlGaAs/GaAs HBT的频率性能,研究了HBT的最佳化设计,并比较了HBT和多晶硅发射极晶体管的大电流性能。研究表明,对发射极条宽S_E<3μm的HBT来说,在电流密度小于1&#... 利用BIPOLE计算机程序,评价了具有不同版图、不同掺杂分布和不同层厚的AlGaAs/GaAs HBT的频率性能,研究了HBT的最佳化设计,并比较了HBT和多晶硅发射极晶体管的大电流性能。研究表明,对发射极条宽S_E<3μm的HBT来说,在电流密度小于1×10~5A/cm^2时,并未发现电流集聚效应,由最高f_T确定的HBT电流处理容量要比多晶硅发射极晶体管的大两倍多。对基区掺杂为1×10^(19)cm^(-3)的典型工艺n-p-n型AlGaAs/GaAs HBT,已获得了一个最佳化的最高振荡频率f_(mos(?))的方程式:f_(mosc)=337(W_(Bop)/S_E)^(1/2)GHz,式中,W_(Bop)是最佳基区宽度,S_E是发射极条宽,二者都以微米为单位。 展开更多
关键词 双极晶体管 ALGAAS/GAAS 设计
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