HFET技术及其在低噪声和功率放大器上的应用

基于低噪声赝配AlGaAs/InGaAs/GaAs HFET技术的进展,研制了可同时应用于低噪声和功率放大器的新一代器件。改进低噪声结构,以提高击穿电压,使之超过8V,并获得了超过800mA/mm的漏极电流密度。这是通过改变掺杂方案实现的。这种材料的0.25μm器件实验显示,它具有180GHz的截止频率和在18GHz时,最小噪声系数低于1dB。作为实验,制作了一个二级低噪声放大器的MMIC(微波单片集成电路)。在28GHz时,最小噪声系数为2.2dB,增益达到18dB。这是组合式发射/接收组件达到中功率水平的基础。