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SOI晶圆制造技术及发展趋
1
作者
howardr.huff
PETERM.ZEITZOFF
竟成
《中国集成电路》
2005年第2期77-78,69,共3页
关键词
发展趋势
晶圆
绝缘体上硅
SOI材料
信号处理器
改进技术
CMOS
制造工艺
集成电路
微处理器
智能电源
低功耗
软误差
小规模
服务器
器件
减小
射频
下载PDF
职称材料
题名
SOI晶圆制造技术及发展趋
1
作者
howardr.huff
PETERM.ZEITZOFF
竟成
机构
INTERNATIONAL.SEMATECH
出处
《中国集成电路》
2005年第2期77-78,69,共3页
关键词
发展趋势
晶圆
绝缘体上硅
SOI材料
信号处理器
改进技术
CMOS
制造工艺
集成电路
微处理器
智能电源
低功耗
软误差
小规模
服务器
器件
减小
射频
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
SOI晶圆制造技术及发展趋
howardr.huff
PETERM.ZEITZOFF
竟成
《中国集成电路》
2005
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