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地铁车辆用新型整体式抗侧滚弯扭杆装置研制 被引量:1
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作者 杜方孟 霍艳霞 +2 位作者 汤腾 刘文松 程海涛 《城市轨道交通研究》 北大核心 2018年第9期142-144,共3页
介绍了抗侧滚扭杆装置工作原理。根据某地铁空间小、且车体及转向架高度可调的要求,研发了新型整体式抗侧滚弯扭杆装置,详细阐述了该新型抗侧滚弯扭杆装置的设计方案、力学性能分析等,并进行了相关试验。试验结果表明:该装置的刚度、强... 介绍了抗侧滚扭杆装置工作原理。根据某地铁空间小、且车体及转向架高度可调的要求,研发了新型整体式抗侧滚弯扭杆装置,详细阐述了该新型抗侧滚弯扭杆装置的设计方案、力学性能分析等,并进行了相关试验。试验结果表明:该装置的刚度、强度及制造工艺等完全满足地铁运用要求。 展开更多
关键词 地铁 车辆 抗侧滚扭杆装置
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几种高速列车用弹簧钢的材料性能对比研究 被引量:2
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作者 公衍军 杨欣 +2 位作者 吕士勇 霍艳霞 邹敏佳 《有色金属设计》 2021年第2期107-110,共4页
以60Si2MnAT、60Si2CrVAT、51CrV4、52CrMoV4,4种高速车常用弹簧钢材料为研究对象,分析其相变特性、奥氏体晶粒长大趋势、脱碳倾向等综合性能,为制定高速车用弹簧钢的选材、机加工艺过程提供一定的理论依据。结果表明,51CrV4、52CrMoV4... 以60Si2MnAT、60Si2CrVAT、51CrV4、52CrMoV4,4种高速车常用弹簧钢材料为研究对象,分析其相变特性、奥氏体晶粒长大趋势、脱碳倾向等综合性能,为制定高速车用弹簧钢的选材、机加工艺过程提供一定的理论依据。结果表明,51CrV4、52CrMoV4、60Si2CrVAT 3种材料的晶粒长大趋势基本一致,在900℃以下保温时晶粒度可达9级左右,51CrV4、52CrMoV42种材料的脱碳倾向较小。 展开更多
关键词 弹簧钢 相变 奥氏体晶粒长大 淬透性
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基于LR-Ⅳ模型的滑坡敏感性评价
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作者 田大永 马超振 +3 位作者 霍光杰 霍艳霞 林霏开 徐战亚 《河南科学》 2019年第5期806-813,共8页
滑坡敏感性评价是滑坡防治中的重要一环.针对信息量模型(IV)中各影响因子等权以及逻辑回归模型(LR)中因子难以量化的问题,将逻辑回归模型(LR)与信息量模型(IV)进行耦合,构建LR-IV模型,并将逻辑回归模型及信息量模型作为对照,以湖北省为... 滑坡敏感性评价是滑坡防治中的重要一环.针对信息量模型(IV)中各影响因子等权以及逻辑回归模型(LR)中因子难以量化的问题,将逻辑回归模型(LR)与信息量模型(IV)进行耦合,构建LR-IV模型,并将逻辑回归模型及信息量模型作为对照,以湖北省为例,进行了滑坡敏感性评价.选取工程岩组、地震烈度、水系距离、构造线距离、地貌、降雨面、坡度等七个因子,结合GIS的栅格分析方法,计算各区域滑坡敏感性指数,得到湖北省滑坡敏感性区划图.将历史滑坡数据随机分为70%的训练数据与30%的验证数据,通过受试者工作特征曲线来比较各个模型之间的性能.在成功率上,LR-IV模型(91.3%)与逻辑回归模型(91.5%)、信息量模型(90.3%)相差不大,都具有极高的成功率,但在预测率上,LR-IV模型(75.7%)远胜于逻辑回归模型(65.8%),略强于信息量模型(74.9%).研究结果表明,LR-IV模型表现优异,可用于滑坡敏感性评价。 展开更多
关键词 滑坡敏感性评价 GIS 逻辑回归模型 滑坡敏感性区划图 信息量模型
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A model for nanogrinding based on direct evidence of ground chips of silicon wafers 被引量:6
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作者 ZHANG ZhenYu huo yanxia GUO DongMing 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第9期2099-2108,共10页
Nanometer chips were directly fabricated using face nanogrinding carried out by ultrafine diamond grits at room temperature. Direct evidence for ground nanometer chips is cuboid, and the average ratio of width to thic... Nanometer chips were directly fabricated using face nanogrinding carried out by ultrafine diamond grits at room temperature. Direct evidence for ground nanometer chips is cuboid, and the average ratio of width to thickness is 1.49. Chips of 9.0 nm in thickness, 13.3 nm in width, and 16.0 in diagonal were achieved and confirmed using transmission electron microscopy. Based on the nanometer chips observed, a model was proposed according to the mass conservation and fundamental mechanism of face grinding. The surface roughness and thickness of damaged layers measured experimentally are in good agreement with the prediction of the developed model. The feed rate significantly affects the surface roughness and thickness of damaged layers, when keeping the wheel and table speeds constant, respectively. 展开更多
关键词 nanometer chip nanogrinding surface roughness si wafer TEM
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