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用于器件和电路模拟的电荷基础大讯号双极晶体管模型
1
作者
hanggeun jeong
罗浩平
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第1期45-53,共9页
本文提出了一种新的大讯号双极晶体管模型。该模型以电荷为基础,由双极载流子输运的一维区域分析导出,而很少使用经验结论。在测试由先进的双极工艺制作的典型器件的基础上,描述了模型验证和参数提取,同时,证明了该模型的预计潜力。该...
本文提出了一种新的大讯号双极晶体管模型。该模型以电荷为基础,由双极载流子输运的一维区域分析导出,而很少使用经验结论。在测试由先进的双极工艺制作的典型器件的基础上,描述了模型验证和参数提取,同时,证明了该模型的预计潜力。该物理模型可用作半定量的器件/电路混合模拟的基础,并且作为模型体系应用于CAD技术中。
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关键词
双极性
晶体管
模型
器件
大讯号
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职称材料
题名
用于器件和电路模拟的电荷基础大讯号双极晶体管模型
1
作者
hanggeun jeong
罗浩平
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第1期45-53,共9页
文摘
本文提出了一种新的大讯号双极晶体管模型。该模型以电荷为基础,由双极载流子输运的一维区域分析导出,而很少使用经验结论。在测试由先进的双极工艺制作的典型器件的基础上,描述了模型验证和参数提取,同时,证明了该模型的预计潜力。该物理模型可用作半定量的器件/电路混合模拟的基础,并且作为模型体系应用于CAD技术中。
关键词
双极性
晶体管
模型
器件
大讯号
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于器件和电路模拟的电荷基础大讯号双极晶体管模型
hanggeun jeong
罗浩平
《微电子学》
CAS
CSCD
1990
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