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用于器件和电路模拟的电荷基础大讯号双极晶体管模型
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作者 hanggeun jeong 罗浩平 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第1期45-53,共9页
本文提出了一种新的大讯号双极晶体管模型。该模型以电荷为基础,由双极载流子输运的一维区域分析导出,而很少使用经验结论。在测试由先进的双极工艺制作的典型器件的基础上,描述了模型验证和参数提取,同时,证明了该模型的预计潜力。该... 本文提出了一种新的大讯号双极晶体管模型。该模型以电荷为基础,由双极载流子输运的一维区域分析导出,而很少使用经验结论。在测试由先进的双极工艺制作的典型器件的基础上,描述了模型验证和参数提取,同时,证明了该模型的预计潜力。该物理模型可用作半定量的器件/电路混合模拟的基础,并且作为模型体系应用于CAD技术中。 展开更多
关键词 双极性 晶体管 模型 器件 大讯号
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