离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了 ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并对各种方法进行了讨论。结果显示；用分步注入和分步退火制备的ＳＯＩ材料大大地改善了材料的电学性能。

外延气氛对SIMOX结构损伤的RBS分析

在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅的剥离,H_2通过穿透性缺陷使埋层SiO_2的分解和使表层硅缺陷的扩展损伤。