纵向a—Si MOSFET集成电路

采用非晶硅的原生二氧化硅作为绝缘栅，使纵向a-Si MOSFET的特性得到明显的改善。a-Si材料的最大场致迁移率为1.2cm/V.s。用纵向a-Si MOSFET成功地研制了E／E倒相器和环型振荡器，最小门延时时间为95ns，同时还描述了a-Si MOSFET RS触发器的电路特性。