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掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构
1
作者
韦世强
hiroyukioyanagi
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期356-360,共5页
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其...
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5
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关键词
荧光XAFS
局域结构
锗/硅超晶格
半导体
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职称材料
题名
掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构
1
作者
韦世强
hiroyukioyanagi
机构
中国科学技术大学国家同步辐射实验室
ElectrotechnicalLaboratory
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期356-360,共5页
基金
中国科学院"百人计划"
国家自然科学基金!(196040 11)资助项目
文摘
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5
关键词
荧光XAFS
局域结构
锗/硅超晶格
半导体
Keywords
fluorescence XAFS
(Ge_4Si_4)_5 superlattice
local structure
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
O722.8 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构
韦世强
hiroyukioyanagi
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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职称材料
已选择
0
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