DBDP降解土壤中抗生素的实验研究——以盐酸四环素、氯霉素为例

介质阻挡放电等离子体能在极短的时间内产生高能粒子轰击、高温热解和紫外光辐射等综合效应。以盐酸四环素和氯霉素为研究对象,利用介质阻挡放电等离子体降解土壤中盐酸四环素和氯霉素,研究抗生素初始浓度、放电电压以及载气流量对去除效果的影响,并通过正交实验进一步论证。单因素实验结果表明,抗生素的去除率与初始浓度呈负相关关系,与放电电压呈正相关关系,随载气流量先增加后降低。正交实验表明,盐酸四环素最佳降解条件为载气流量8 L/min、放电电压6 kV、初始浓度100 mg/kg,此时去除率可达到87.06%;氯霉素最佳降解条件为初始浓度100 mg/kg、载气流量0 L/min、放电电压为10 kV,此时去除率为85.12%。结论:介质阻挡放电等离子体能有效去除土壤中抗生素,在降低土壤抗生素污染方面具有巨大潜力。

基于稻壳的改性生物硅材料制备及对Pb^(2+)的吸附性能研究

以稻壳硅和Pb^(2+)为研究对象,利用稻壳灰、稀盐酸、浓硫酸等药剂提取BSi,制备了SO 3 H-BSi,并通过FT-IR、XRD、SEM等表征方法分析了材料的物理、化学特性。利用制备的BSi和SO 3 H-BSi吸附水溶液中的Pb^(2+),通过考察pH值、离子强度等影响因素,研究改性前后材料对Pb^(2+)的吸附性能。实验结果表明:磺酸基改性后促进了Pb^(2+)的吸附,吸附速率、吸附量均得到明显提高;碱性条件有利于Pb^(2+)的吸附;无论是BSi还是SO 3 H-BSi对Pb^(2+)的吸附过程更符合伪二阶动力学模型,SO 3 H-BSi对Pb^(2+)的等温吸附过程更符合Freundilch模型,说明Pb^(2+)在SO 3 H-BSi的表面属于多层均质吸附。

Parity-Time对称Scarff势中多级孤子的传输特性

研究了线性情况,自聚焦和自散焦非线性情况下Parity-Time对称Scarff复合势中二级孤子和三级孤子的存在与稳定性.对于线性情况,数值得到了不同调制深度下的Parity-Time对称Scarff复合势中的Parity-Time对称破坏点、本征值和多级线性模.对于非线性情况,研究了自聚焦与自散焦介质中的二级孤子和三级孤子的存在与稳定性.研究结果表明:对于确定的调制深度,二级线性模和三级线性模的本征值恰好等于相应的调制深度下二级孤子和三级孤子存在的临界传播常数b_c.在自聚焦与自散焦介质中,多级孤子能稳定存在于靠近临界传播常数b_c的区域.

烧结工艺对SnO_2棒状晶湿敏陶瓷电容特性影响研究

通过共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏陶瓷,考察了烧结工艺对材料微结构和湿敏电容性能的影响,包括烧结温度和保温时间对湿度电容的影响。实验结果表明,烧结工艺对材料的微结构和湿敏电容都具有较大影响。适当的烧结温度和保温时间可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏电容。电容频率特性分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度变化。

基于PN结的正向伏安特性测量玻尔兹曼常量的研究

根据PN结正向伏安特性测玻尔兹曼常量的原理,在实验中使用二极管和三极管作为PN结的替代样品分别进行了测量,结果显示直接利用二极管测得的玻尔兹曼常量值比理论值偏大,这与一些文献提出的直接利用二极管测出的玻尔兹曼常量值往往偏小的观点不一致,本文从扩散电流、复合电流和表面电流的公式出发,从理论上分析并解释了玻尔兹曼常量值偏大的原因;而使用三极管构成的共基级电路,减少了复合电流和表面电流的影响,得到的玻尔兹曼常量值与理论值一致.

The contrast between defect solitons in parity-time symmetric superlattice and simple-lattice complex potentials

The existence and stability of defect superlattice solitons in parity-time （PT） symmetric superlattice and simplelattice complex potentials are reported. Compared with defect simple-lattice solitons in similar potentials, the defect soliton in superlattice has a wider stable range than that in simple-lattice. The solitons＇ power increases with increasing propagation constant. For the positive defect, the solitons are stable in the whole region where solitons exist in the semi-infinite gap. For the zero defect, the solitons are unstable at the edge of the band. For the negative defect, the solitons propagate with the shape of Y at low propagation constant and propagate stably at the large one.