Realization of low contact resistance close to theoretical limit in graphene transistors

认识到在 graphene 和金属电极之间的低接触抵抗为造高效的 graphene 设备仍然是著名挑战。在这个工作，我们试图在 graphene 晶体管减少接触抵抗并且进一步探索在 graphene 和金属接触之间的抵抗限制。在房间温度的 Pd/graphene 接触抵抗在 100 ?? 下面被减少 ? ?? 汣獡 ? 愢瀭畬 ? 汰獵?? 猯'T ￣慮潮慰瑲捩敬 ? 敤潣慲整 ? 湯吠佩猼'T 挠慬獳∽ ? 汰獵瀭畬 ? 资 ? ?? 渠湡景扩牥 ? 湥 'L 敬 ? 桴 ? ?捣獥晳汵椠瑮来慲楴湯漠 ? 桴 ? 楢慮祲挠浯潰楳整椠瑮 ? 慢瑴牥敩 ? 潴愠摤敲獳猠牴 ' 壮霊 `? 瑳 'L 汩瑩 ? 湡 ? 潬 ? 慣慰楣吗？